[发明专利]对存储模块进行ZQ校准的方法、校准装置及数据处理系统在审
| 申请号： | 202110377313.9 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN115206367A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 欧阳志光;叶佳星;傅祥 | 申请（专利权）人： | 晶晨半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C29/08 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 潘彦君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 模块 进行 zq 校准 方法 装置 数据处理系统 | ||
1.一种对存储模块进行ZQ校准的方法，所述存储模块包括至少一个存储单元，其特征在于，所述对存储模块进行ZQ校准的方法包括：
获取所述存储单元的运行状态；
当根据所述运行状态确定所述存储单元处于主动刷新状态时，向所述存储单元发送ZQ校准指令，使得所述存储单元执行ZQ校准操作。
2.根据权利要求1所述的对存储模块进行ZQ校准的方法，其特征在于，所述存储模块包括多个存储单元，所述多个存储单元分别与相应的ZQ电阻进行耦接。
3.根据权利要求1所述的对存储模块进行ZQ校准的方法，其特征在于，所述存储模块包括多个存储单元，所述多个存储单元均与一ZQ电阻进行耦接。
4.根据权利要求3所述的对存储模块进行ZQ校准的方法，其特征在于，所述存储模块包括多个存储单元，所述多个存储单元均与一ZQ电阻进行耦接，包括：
所述存储模块包括多个存储单元，所述多个存储单元通过同一出线引脚与所述一ZQ电阻进行耦接。
5.根据权利要求2或3所述的对存储模块进行ZQ校准的方法，其特征在于，所述当根据所述运行状态确定所述存储单元处于主动刷新状态时，向所述存储单元发送ZQ校准指令，使得所述存储单元执行ZQ校准操作，包括：
向处于主动刷新状态下的存储单元发送ZQ校准指令，并依次通过所述存储单元的片选接口对所述存储单元的片选信息进行置位，使得所述存储单元处于所述主动刷新状态时，执行所述ZQ校准操作。
6.根据权利要求1所述的对存储模块进行ZQ校准的方法，其特征在于，所述获取所述存储单元的运行状态包括以下至少一种：
访问状态存储器获取所述存储单元的运行状态；
根据人机交互输入的运行状态信息，获取所述存储单元的运行状态。
7.一种校准装置，适于对存储模块进行ZQ校准，所述存储模块包括至少一个存储单元，其特征在于，所述校准装置包括：
运行状态获取单元，适于获取存储单元的运行状态；
ZQ校准控制器，适于当根据所述运行状态确定所述存储单元处于主动刷新状态时，向所述存储单元发送ZQ校准指令，使得所述存储单元执行ZQ校准操作。
8.根据权利要求7所述的校准装置，其特征在于，所述ZQ校准控制器，包括：
校准指令发送单元，适于向处于主动刷新状态下的存储单元发送ZQ校准指令，并依次通过所述存储单元的片选接口对所述存储单元的片选信息进行置位，使得所述存储单元处于所述主动刷新状态时，执行所述ZQ校准操作。
9.根据权利要求7所述的校准装置，其特征在于，所述校准装置还包括：状态存储器，适于存储所述存储单元的运行状态信息；
所述运行状态获取单元，适于访问所述状态存储器获取所述存储单元的运行状态。
10.一种数据处理系统，包括片上系统和存储模块，所述存储模块包括至少一个存储单元，其特征在于，所述片上系统包括校准装置，所述校准装置适于执行权利要求1至6任一项所述的对存储模块进行ZQ校准的方法对所述存储模块进行ZQ校准。
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