[发明专利]对存储模块进行ZQ校准的方法、校准装置及数据处理系统

说明书

对存储模块进行ZQ校准的方法、校准装置及数据处理系统，其中，所述存储模块包括至少一个存储单元，所述对存储模块进行ZQ校准的方法包括：获取所述存储单元的运行状态；当根据所述运行状态确定所述存储单元处于主动刷新状态时，向所述存储单元发送ZQ校准指令，使得所述存储单元执行ZQ校准操作。采用上述ZQ校准方法，能够提高带宽资源的利用效率。

技术领域

本发明实施例涉及存储器校准领域，尤其涉及一种对存储模块进行ZQ校准的方法、校准装置及数据处理系统。

背景技术

为了提高动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)内部信号的完整性，在DRAM存储器的存储芯片内部设置了片内终结(On-Die Termination，ODT)电阻和输出驱动器，以减小信号在DRAM存储器终端的反射。

经研究发现，ODT电阻和输出驱动器的电阻值会随着温度的变化而变化，为了保证在温度变化的情况下仍然能够保持信号的完整性，需要对ODT电阻和输出驱动器的电阻进行ZQ校准。具体的，图1为一种存储模块的ZQ校准的结构示意图，如图1所示，在所述存储模块上设有ZQ引脚(Pin)，该引脚的一端连接所述存储模块，一端外接电阻R，其中，所述电阻R为240ohm(欧姆)的低公差参考电阻，其可以在所有的存储模块之间共享，当系统发出ZQ校准指令时，可以通过片上校准引擎对ODT和输出驱动器的电阻进行周期性的校准。

然而，在对DRAM存储器进行ZQ校准期间，不能对其进行读写操作，从而会损失一部分带宽资源。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种对存储模块进行ZQ校准的方法、校准装置及数据处理系统，能够提高带宽资源的利用效率。

首先，本发明实施例提供一种对存储模块进行ZQ校准的方法，所述存储模块包括至少一个存储单元，所述对存储模块进行ZQ校准的方法包括：

获取所述存储单元的运行状态；

当根据所述运行状态确定所述存储单元处于主动刷新状态时，向所述存储单元发送ZQ校准指令，使得所述存储单元执行ZQ校准操作。

可选地，所述存储模块包括多个存储单元，所述多个存储单元分别与相应的ZQ电阻进行耦接。

可选地，所述存储模块包括多个存储单元，所述多个存储单元均与一ZQ电阻进行耦接。

可选地，所述存储模块包括多个存储单元，所述多个存储单元均与一ZQ电阻进行耦接，包括：

所述存储模块包括多个存储单元，所述多个存储单元通过同一出线引脚与所述一ZQ电阻进行耦接。

可选地，所述当根据所述运行状态确定所述存储单元处于主动刷新状态时，向所述存储单元发送ZQ校准指令，使得所述存储单元执行ZQ校准操作，包括：

向处于主动刷新状态下的存储单元发送ZQ校准指令，并依次通过所述存储单元的片选接口对所述存储单元的片选信息进行置位，使得所述存储单元处于所述主动刷新状态时，执行所述ZQ校准操作。

可选地，所述获取所述存储单元的运行状态包括以下至少一种：

访问状态存储器获取所述存储单元的运行状态；

根据人机交互输入的运行状态信息，获取所述存储单元的运行状态。

相应的，本发明实施例还提供一种校准装置，适于对存储模块进行ZQ校准，所述存储模块至少包括一个存储单元，所述校准装置包括：

运行状态获取单元，适于获取存储单元的运行状态；

ZQ校准控制器，适于当根据所述运行状态确定所述存储单元处于主动刷新状态时，向所述存储单元发送ZQ校准指令，使得所述存储单元执行ZQ校准操作。