[发明专利]半导体结构及封装方法在审
申请号: | 202110379914.3 | 申请日: | 2021-04-08 |
公开(公告)号: | CN113140525A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 胡楠;孔剑平;王琪;肖敏 | 申请(专利权)人: | 浙江毫微米科技有限公司;浙江微片科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/07;H01L23/498 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 封装 方法 | ||
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:
第一半导体衬底(130);
第一重布线层(210),设置于所述第一半导体衬底(130)之上,
第一模塑组合物层(400),设置于所述第一重布线层(210)之上;其中,所述第一模塑组合物层(400)的第一结构面(403)设置有凹槽(401);
存储器(502),至少部分设置于所述凹槽(401)中;
第二重布线层(220),设置于所述第一结构面(403)上所述凹槽(401)以外的区域;
处理器(501),设置于所述第二重布线层(220)之上,并与所述存储器(502)至少部分重叠设置;所述处理器(501)分别与所述存储器(502)、所述第一重布线层(210)的第一焊盘(218)电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,还包括:
第二模塑组合物层(500),覆盖所述第二重布线层(220)以及所述处理器(501)、所述存储器(502);
电源基板(504),与所述存储器(502)的接触面连接。
3.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述第一模塑组合物层(400)设置有贯穿于所述第一模塑组合物层(400)的金属穿孔(302);所述金属穿孔(302)内填充有金属;
所述金属穿孔(302)的第一端裸露于所述第一模塑组合物层(400)的第一结构面(403);
所述金属穿孔(302)的第二端与所述第一焊盘(218)电连接。
4.根据权利要求3所述的半导体结构,其特征在于,所述处理器(501)依次通过所述第二重布线层(220)的第二焊盘(217)、所述金属穿孔(302)与所述第一焊盘(218)电连接。
5.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述第一重布线层(210)包括第一绝缘层(212),所述第一焊盘(218)贯穿于所述第一绝缘层(212)。
6.一种半导体封装方法,其特征在于,包括:
提供一第二半导体衬底;
在所述第二半导体衬底之上覆盖一保护层;
在所述保护层之上设置覆盖一层第一重布线层;
在所述第一重布线层之上覆盖模塑组合物,形成第一模塑组合物层;
在所述第一模塑组合物层的第一结构面上形成凹槽;
在所述第一结构面上所述凹槽以外的区域覆盖第二重布线层;
在所述凹槽中放置存储器;
在所述第二重布线层之上放置处理器;其中,所述处理器分别与所述存储器、所述第一重布线层的第一焊盘电连接;
移除所述保护层以及所述第二半导体衬底,将所述第一重布线层与第一半导体衬底连接,形成半导体结构。
7.根据权利要求6所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述保护层之上设置覆盖一层第一重布线层之后,所述方法包括:
在所述第一重布线层之上覆盖一层模版层;
对所述模版层进行光刻处理,形成贯穿于所述模版层的穿孔;
在所述穿孔填充金属,形成金属穿孔,移除模版层;
其中,所述金属穿孔贯穿于所述第一模塑组合物层。
8.根据权利要求6所述的半导体封装方法,其特征在于,所述移除所述保护层以及所述第二半导体衬底之前,所述方法还包括:
通过所述存储器的接触面以及所述第二重布线层的第二焊盘,与电源基板连接;
通过模塑组合物覆盖所述第二重布线层以及所述处理器、所述存储器,形成第二模塑组合物层。
9.一种电子设备,包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求6至8中任一项所述的半导体封装方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求6至8中任一项所述的半导体封装方法的步骤。
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