[发明专利]一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统

权利要求书

1.一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法，其特征在于，包括：

对Si片进行沉积和光刻处理，以使所述Si片上沉积有具有对位光刻图形的沉积层；

对所述沉积层进行等离子刻蚀，形成所述对位光刻图形对应的第一对位标记；

以所述第一对位标记为套刻基准，再对所述Si片进行光刻处理，形成金属蒸发标记光刻图形；

所述金属蒸发标记光刻图形与所述第一对位标记在Si片上预设多点的套刻误差，记为第一次套刻误差；

蒸发金属，使所述金属沉积在Si片上，形成所述金属蒸发标记光刻图形对应的金属蒸发标记；

所述金属蒸发标记与所述第一对位标记在Si片上预设多点的套刻误差，记为第二次套刻误差；

根据所述第一次套刻误差和所述第二次套刻误差，计算所述蒸发台的蒸发偏移量。

2.如权利要求1所述的一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法，其特征在于，根据所述第一次套刻误差和所述第二次套刻误差，计算所述蒸发台的蒸发偏移量，具体为：

将所述第一次套刻误差与所述第二次套刻误差的差值，作为所述蒸发偏移量。

3.如权利要求1所述的一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法，其特征在于，所述对Si片进行沉积和光刻处理，以使所述Si片上沉积有具有对位光刻图形的沉积层，具体为：

在Si片上沉积第一厚度的沉积物，形成沉积层，再通过光刻的方法在Si片上形成对位光刻图形，所述第一厚度为100纳米到200纳米。

4.一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法，其特征在于，包括：

对Si片进行沉积和光刻处理，以使所述Si片上沉积有具有预设形状的光刻图形的沉积层；

对所述沉积层进行等离子刻蚀，形成所述预设形状的光刻图形对应的第二对位标记；

蒸发金属，使所述金属沉积在Si片上，对具有所述金属沉积层的Si片进行断面截取；

通过SEM对截取的Si片断面进行测量，测量所得的Si片断面上金属与所述第二对位标记的偏移量，为蒸发台蒸发偏移量。

5.如权利要求4所述的一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法，其特征在于；

所述预设形状的光刻图形是由多个条形图形按预设顺序排列组成的光刻图形；每个所述条形图形的长度均为1mm，宽度均为0.6um。

6.一种蒸发台的蒸发偏移量测量系统，其特征在于，包括：第一对位标记模块、第一误差模块、第二误差模块和计算模块；

其中，所述第一对位标记模块用于对Si片进行沉积和光刻处理，以使所述Si片上沉积有具有对位光刻图形的沉积层；以及用于对所述沉积层进行等离子刻蚀，形成所述对位光刻图形对应的第一对位标记；

所述第一误差模块用于以所述第一对位标记为套刻基准，再对所述Si片进行光刻处理，形成金属蒸发标记光刻图形；

所述金属蒸发标记光刻图形与所述第一对位标记在Si片上预设多点的套刻误差，记为第一次套刻误差；

所述第二误差模块用于蒸发金属，使所述金属沉积在Si片上，形成所述金属蒸发标记光刻图形对应的金属蒸发标记；

所述金属蒸发标记与所述第一对位标记在Si片上预设多点的套刻误差，记为第二次套刻误差；

所述计算模块用于根据所述第一次套刻误差和所述第二次套刻误差，计算所述蒸发台的蒸发偏移量。

7.如权利要求6所述的一种蒸发台的蒸发偏移量测量系统，其特征在于，所述计算模块用于根据所述第一次套刻误差和所述第二次套刻误差，计算所述蒸发台的蒸发偏移量，具体为：

将所述第一次套刻误差与所述第二次套刻误差的差值，作为所述蒸发偏移量。

8.如权利要求6所述的一种蒸发台的蒸发偏移量测量系统，其特征在于，所述对Si片进行沉积和光刻处理，以使所述Si片上沉积有具有对位光刻图形的沉积层，具体为：

在Si片上沉积第一厚度的沉积物，形成沉积层，再通过光刻的方法在Si片上形成对位光刻图形，所述第一厚度为100纳米到200纳米。