[发明专利]一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统

说明书

本发明公开了一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统，通过对Si片进行沉积和光刻处理，对所述Si片上的沉积层进行等离子刻蚀，形成所述对位光刻图形对应的第一对位标记；再对所述Si片进行光刻处理，形成金属蒸发标记光刻图形；所述金属蒸发标记光刻图形与所述第一对位标记的套刻误差，记为第一次套刻误差；蒸发金属，形成金属蒸发标记；所述金属蒸发标记与所述第一对位标记的套刻误差，记为第二次套刻误差；根据所述第一次套刻误差和所述第二次套刻误差，计算所述蒸发台的蒸发偏移量。本发明提供的一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统，能准确测量蒸发台的蒸发偏移量，为修正调整设备和修正版图设计提供数据支撑。

技术领域

本发明涉及蒸发台设备技术领域，特别是涉及一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统。

背景技术

电子束蒸发台系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术，它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。但由于蒸发台自身结构存在一定的缺陷，使得金属在蒸发过程中沉积在基片上时存在一个倾斜角度，导致蒸发的金属相对与光刻开孔图形具有一定的偏移量，导致实际蒸发图形相对于预设的设计版图存在差异，对化合物半导体器件制作造成一定影响。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统，能准确测量蒸发台的蒸发偏移量，为修正调整设备和修正版图设计提供数据支撑。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统，包括：

对Si片进行沉积和光刻处理，以使所述Si片上沉积有具有对位光刻图形的沉积层；

对所述沉积层进行等离子刻蚀，形成所述对位光刻图形对应的第一对位标记；

以所述第一对位标记为套刻基准，再对所述Si片进行光刻处理，形成金属蒸发标记光刻图形；

所述金属蒸发标记光刻图形与所述第一对位标记在Si片上预设多点的套刻误差，记为第一次套刻误差；

蒸发金属，使所述金属沉积在Si片上，形成所述金属蒸发标记光刻图形对应的金属蒸发标记；

所述金属蒸发标记与所述第一对位标记在Si片上预设多点的套刻误差，记为第二次套刻误差；

根据所述第一次套刻误差和所述第二次套刻误差，计算所述蒸发台的蒸发偏移量。

进一步的，根据所述第一次套刻误差和所述第二次套刻误差，计算所述蒸发台的蒸发偏移量，具体为：

将所述第一次套刻误差与所述第二次套刻误差的差值，作为所述蒸发偏移量。

进一步的，所述对Si片进行沉积和光刻处理，以使所述Si片上沉积有具有对位光刻图形的沉积层，具体为：

在Si片上沉积第一厚度的沉积物，形成沉积层，再通过光刻的方法在Si片上形成对位光刻图形，所述第一厚度为100纳米到200纳米。

进一步的，一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法，其特征在于，包括：

对Si片进行沉积和光刻处理，以使所述Si片上沉积有具有预设形状的光刻图形的沉积层；

对所述沉积层进行等离子刻蚀，形成所述预设形状的光刻图形对应的第二对位标记；

蒸发金属，使所述金属沉积在Si片上，对具有所述金属沉积层的Si片进行断面截取；

通过SEM对截取的Si片断面进行测量，测量所得的Si片断面上金属与所述第二对位标记的偏移量，为蒸发台蒸发偏移量。

进一步的，所述预设形状的光刻图形是由多个条形图形按预设顺序排列组成的光刻图形；每个所述条形图形的长度均为1mm，宽度均为0.6um。