[发明专利]振荡电路以及半导体集成电路在审
申请号: | 202110386825.1 | 申请日: | 2021-04-12 |
公开(公告)号: | CN113541606A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 中谷真史;村上洋树 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04;G05F3/26 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 董骁毅;叶明川 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 振荡 电路 以及 半导体 集成电路 | ||
1.一种振荡电路,其特征在于,包含:
定电流电路,被配置以根据电源电压而产生第1输出电流;
电流限制电路,被配置以接收所述第1输出电流及产生第2输出电流,且在所述电源电压下降到低于所述定电流电路的运作保证范围的下限时,限制所述第2输出电流的上限;以及
振荡器,被配置以根据所述第2输出电流而产生时钟信号。
2.根据权利要求1所述的振荡电路,
其特征在于,所述定电流电路包含:
第1电流镜电路,被配置以依据所述电源电压与第一可变电阻的电阻值产生基准电流,且响应于所述基准电流于第1电流路径产生所述第1输出电流;
其中,所述电流限制电路包含:
第二可变电阻;以及
第2电流镜电路,耦接至所述第二可变电阻,且被配置以依据所述电源电压与所述第二可变电阻的电阻值于第2电流路径产生上限电流,且根据所述上限电流决定所述第2输出电流的上限;
其中,当所述电源电压下降到低于所述定电流电路的运作保证范围的下限时,所述电流限制电路将所述上限电流配置为小于所述基准电流。
3.根据权利要求2所述的振荡电路,
其特征在于,所述第2电流镜电路被配置为根据所述基准电流或所述上限电流提供一第一偏压电压,且所述电流限制电路更包含:
第3电流镜电路,耦接至所述第2电流镜电路以接收所述第一偏压电压,且被配置以响应于所述第一偏压电压产生控制电流;以及
晶体管,耦接至所述第3电流镜电路及所述振荡器的电流源晶体管,所述晶体管被配置为与所述电流源晶体管构成第4电流镜电路,且根据所述控制电流产生所述第2输出电流。
4.根据权利要求2所述的振荡电路,
其特征在于,所述第2电流镜电路包含:
第1晶体管,与所述第1电流镜电路串接,以接收所述第1输出电流及产生所述第2输出电流;以及
第2晶体管,配置于所述第2电流路径,所述第1晶体管的栅极以及所述第2晶体管的栅极共同地连接至位于所述第2晶体管与所述第二可变电阻之间的第1节点。
5.根据权利要求3所述的振荡电路,
其特征在于,所述第2电流镜电路包含:
第1晶体管,与所述第1电流路径串接,且配置于所述第1电流镜电路与所述第3电流镜电路之间,以提供所述第一偏压电压;以及
第2晶体管,配置于所述第2电流路径,所述第1晶体管的栅极以及所述第2晶体管的栅极共同地连接至位于所述第2晶体管与所述第二可变电阻之间的第1节点。
6.根据权利要求4所述的振荡电路,
其特征在于,所述第二可变电阻被配置为,在所述电源电压大于或等于所述定电流电路的运作保证范围的下限时,使所述第1晶体管不抑制所述第1输出电流,且在所述电源电压低于所述定电流电路的运作保证范围的下限时,使所述第1晶体管根据所述上限电流决定所述第2输出电流的上限。
7.根据权利要求2所述的振荡电路,
其特征在于,在所述电源电压大于或等于所述定电流电路的运作保证范围的下限时,所述电流限制电路被配置为调整所述第二可变电阻的电阻值,使得所述上限电流大于或等于所述基准电流。
8.根据权利要求4所述的振荡电路,
其特征在于,所述振荡电路包含多个所述电流限制电路,所述振荡器包含多个延迟电路,且各所述延迟电路经由所述第1晶体管与所述电流限制电路的对应一者连接。
9.根据权利要求4所述的振荡电路,
其特征在于,所述振荡器包含:
延迟电路,包括耦接至所述第1晶体管的电容器,所述延迟电路被配置为根据所述第2输出电流对所述电容器充电,以根据所述电容器的充电时间产生延迟时间;
其中,所述振荡器根据所述延迟时间产生所述时钟信号。
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