[发明专利]一种用于芯片的研磨液及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110386931.X 申请日: 2021-04-12
公开(公告)号: CN113088253A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 武楠 申请(专利权)人: 武楠
主分类号: C09K3/14 分类号: C09K3/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710002 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 芯片 研磨 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于芯片的研磨液,其特征在于:该用于芯片的研磨液由以下重量份数的原料组成:研磨粉30-40份、脱离子水50-60份、润滑剂20-30份、积压剂5-15份、非离子表面活性剂10-20份、防霉防腐剂5-8份、分散剂10-20份、螯合剂10-20份、光亮剂3-5份、悬浮稳定剂5-15份。

2.根据权利要求1所述的一种用于芯片的研磨液,其特征在于,该用于芯片的研磨液各组份具体重量份数如下:研磨粉35份、脱离子水55份、润滑剂25份、积压剂10份、非离子表面活性剂15份、防霉防腐剂6份、分散剂15份、螯合剂15份、光亮剂4份、悬浮稳定剂10份。

3.一种如权利要求1所述的用于芯片的研磨液的制备方法,其特征在于,该制备方法具体包括以下步骤:

步骤一:将35份研磨粉和40份脱离子水放置到混合搅拌装置内进行混合,制得研磨剂A;

步骤二:将15份脱离子水、25份润滑剂、10份积压剂、15份非离子表面活性剂、6份防霉防腐剂、15份分散剂、15份螯合剂、4份光亮剂、10份悬浮稳定剂投入混合搅拌装置内进行混合,制得研磨剂B;

步骤三:将研磨剂A和研磨剂B分别利用过滤装置进行过滤,并且得到滤出物a和滤出物b;

步骤四:称重得出滤出物a和滤出物b的重量,以滤出物和脱离子水重量为1:1.5的比例向研磨剂a和研磨剂b中重新添加脱离子水;

步骤五:将研磨剂A和研磨剂B新增的脱离子水进行混合后,分别装入桶中备用;

步骤六:在研磨的时候,将研磨剂A和研磨剂B投入称重装置内进行称重,称得重量后按照比例混合过滤后的市水;

步骤七:最终将研磨剂A、研磨剂B和过滤后的市水进行高速搅拌制得研磨液。

4.根据权利要求3所述的一种用于芯片的研磨液的制备方法,其特征在于:所述步骤一中,研磨剂A的混合搅拌转速为200-250r/min,混合搅拌时间为1-1.5h。

5.根据权利要求3所述的一种用于芯片的研磨液的制备方法,其特征在于:所述步骤二中,研磨剂B的混合搅拌转速为200-300r/min,混合搅拌时间为45-60min。

6.根据权利要求3所述的一种用于芯片的研磨液的制备方法,其特征在于:所述步骤六中,设定研磨剂A的重量为x,设定研磨剂B的重量为y,设定市水的重量为z,则以公式z=(x+y)*15投入经过滤后的市水。

7.根据权利要求3所述的一种用于芯片的研磨液的制备方法,其特征在于:所述步骤七中,研磨剂A、研磨剂B和市水的混合搅拌转速为250-300r/min,混合搅拌时间为1-2h。

8.根据权利要求3所述的一种用于芯片的研磨液的制备方法,其特征在于:所述步骤七中,在加入市水后加入3-5份消泡剂和5-15份PH调节剂同时混合。

9.根据权利要求3所述的一种用于芯片的研磨液的制备方法,其特征在于:所述步骤七中,研磨液的化学机理为Si+OH-+H2O→SiO32-+2H2,其中SiO32-机理是为SiO32-+2H2O→H2SiO3+2OH-,其中H2SiO3能部分聚台成多硅酸,同时H2SiO3电离生成SiO32-离子,结果形成{[SiO32]m·nSiO32-·2(n-x)H+}2x-·2XH+

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