[发明专利]一种提升8寸磨片参数的加工工艺在审
申请号: | 202110387964.6 | 申请日: | 2021-04-12 |
公开(公告)号: | CN113199392A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 姚科新;黄春峰;吴延 | 申请(专利权)人: | 中环领先半导体材料有限公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;B24B37/04;B24B37/08;B24B41/00;B24B55/02;B24B55/06;B24B57/02 |
代理公司: | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人: | 段宇 |
地址: | 214200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 寸磨片 参数 加工 工艺 | ||
1.一种提升8寸磨片参数的加工工艺,其特征在于:其工艺方法包括以下步骤:
S1、首先研磨加工过程通过上、下研磨盘作相反方向转动,硅片在载体游星片中作既公转又自转的游星运动,通过调整游星片自转速比可调整硅片自转速度,采用电—气比例阀闭环反馈压力控制,通过流量计精确控制研磨过程研磨液流量大小,通过测厚控制系统探测石英片厚度精确控制研磨目标厚度,从而保证研磨过程研磨阻力小不损伤硅片且双面均匀研磨;
S2、然后TTV与研磨压力关系:研磨压力越小(硅片单位面积压强越小),TTV越好,呈现一定线性关系;但同时考虑产能以及成本问题采用分段式压力,前段高压去除损伤层,后段轻压修研提升产品TTV参数,既保证产能又保证了产品几何参数,TTV与转速比对应关系:32B双面研磨机台支持正反转速比切换,速比越高硅片在载体游星片中自转越快,由于自旋平整度修复效应,高速比状态下加工的硅片TTV较好,但同时对研磨大盘的损伤也更快,为达到现有修盘与加工工艺速比达到动态平衡,速比同样采用测厚分段式速比,前段低速比保护大盘减少损耗,后段提升速比从而获得较好的TTV;
S3、最后TTV与研磨流量的对应关系:研磨液在研磨过程中起到冷却、带屑、缓冲以及保护硅片表面的作用,研磨液在维持现有配比的情况下(密度参数不变),研磨液流量越小,去除速率越快,且档流量趋于临界值时,易产生划道等外观不良,因此同样采用“分段式”思路,前段加工过程采用低流量,保证去除速率,后段采用原始工艺流量保证表面以及获得较好的TTV。
2.根据权利要求1所述的一种提升8寸磨片参数的加工工艺,其特征在于:所述本工艺中所实用的辅料组成为1200#研磨砂、游星片、石英片、助磨剂KC581、硅片清洗剂04K。
3.根据权利要求1所述的一种提升8寸磨片参数的加工工艺,其特征在于:所述本工艺需要保证磨片来料硅片厚度5μm分档,且使用同档厚度游星片、同批号研磨砂和助磨剂。
4.根据权利要求1所述的一种提升8寸磨片参数的加工工艺,其特征在于:所述本工艺中所使用的研磨机为浜井32B双面研磨机。
5.根据权利要求1所述的一种提升8寸磨片参数的加工工艺,其特征在于:所述本工艺验证流程包括切片分选→倒角→磨片→磨片清洗→酸腐→腐后清洗→外观检验。
6.根据权利要求1所述的一种提升8寸磨片参数的加工工艺,其特征在于:所述通过“田口实验”的验证方法,工艺参数变量有转速比、大盘压力和研磨流量。
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