[发明专利]一种提升8寸磨片参数的加工工艺

说明书

本发明公开了一种提升8寸磨片参数的加工工艺，其工艺方法包括以下步骤：首先研磨加工过程通过上、下研磨盘作相反方向转动，硅片在载体游星片中作既公转又自转的游星运动，通过调整游星片自转速比可调整硅片自转速度，采用电—气比例阀闭环反馈压力控制，通过流量计精确控制研磨过程研磨液流量大小，通过测厚控制系统探测石英片厚度精确控制研磨目标厚度，从而保证研磨过程研磨阻力小不损伤硅片且双面均匀研磨；S2、然后TTV与研磨压力关系：研磨压力越小，TTV越好，呈现一定线性关系；但同时考虑产能以及成本问题采用分段式压力，前段高压去除损伤层，后段轻压修研提升产品TTV参数，既保证产能又保证了产品几何参数。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体为一种提升8寸磨片参数的加工工艺。

背景技术

硅片研磨在半导体加工过程中具有重要作用，是切片后去除表面损伤层的第一道工序，研磨的去除量与几何参数制程能力直接影响后道加工，在半导体材料加工过程，每一道加工工序都会对去除量有要求，而硅片研磨工序是整个晶圆加工过程双面去除量最多的一道工序，也是去除切片表面损伤层的第一道把关，表面的状态以及厚度散差状态直接影响下一工序加工，现有的硅片研磨导致影响产品良率，且敷料加工使用成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提升8寸磨片参数的加工工艺，以解决上述背景技术中提出的现有的硅片研磨导致影响产品良率，且敷料加工使用成本较高的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种提升8寸磨片参数的加工工艺，其工艺方法包括以下步骤：

S1、首先研磨加工过程通过上、下研磨盘作相反方向转动，硅片在载体游星片中作既公转又自转的游星运动，通过调整游星片自转速比可调整硅片自转速度，采用电—气比例阀闭环反馈压力控制，通过流量计精确控制研磨过程研磨液流量大小，通过测厚控制系统探测石英片厚度精确控制研磨目标厚度，从而保证研磨过程研磨阻力小不损伤硅片且双面均匀研磨。

S2、然后TTV与研磨压力关系：研磨压力越小(硅片单位面积压强越小)，TTV越好，呈现一定线性关系；但同时考虑产能以及成本问题采用分段式压力，前段高压去除损伤层，后段轻压修研提升产品TTV参数，既保证产能又保证了产品几何参数，TTV与转速比对应关系：32B双面研磨机台支持正反转速比切换，速比越高硅片在载体游星片中自转越快，由于自旋平整度修复效应，高速比状态下加工的硅片TTV较好，但同时对研磨大盘的损伤也更快，为达到现有修盘与加工工艺速比达到动态平衡，速比同样采用测厚分段式速比，前段低速比保护大盘减少损耗，后段提升速比从而获得较好的TTV。

S3、最后TTV与研磨流量的对应关系：研磨液在研磨过程中起到冷却、带屑、缓冲以及保护硅片表面的作用，研磨液在维持现有配比的情况下(密度参数不变)，研磨液流量越小，去除速率越快，且档流量趋于临界值时，易产生划道等外观不良，因此同样采用“分段式”思路，前段加工过程采用低流量，保证去除速率，后段采用原始工艺流量保证表面以及获得较好的TTV。

优选的，所述本工艺中所实用的辅料组成为1200#研磨砂、游星片、石英片、助磨剂KC581、硅片清洗剂04K。

优选的，所述本工艺需要保证磨片来料硅片厚度5μm分档，且使用同档厚度游星片、同批号研磨砂和助磨剂。

优选的，所述本工艺中所使用的研磨机为浜井32B双面研磨机。

优选的，所述本工艺验证流程包括切片分选→倒角→磨片→磨片清洗→酸腐→腐后清洗→外观检验。

优选的，所述通过“田口实验”的验证方法，工艺参数变量有转速比、大盘压力和研磨流量。