[发明专利]一种带异步置位复位的CMOS混合型SR忆阻锁存器电路

说明书

本发明公开了一种带异步置位复位的CMOS混合型SR忆阻锁存器电路，包括二个模块：SR忆阻锁存器模块以及忆阻异步置位复位功能模块。SR忆阻锁存器模块包括第一MOS管T₁、第二MOS管T₂、第三MOS管T₃、第四MOS管T₄、第五MOS管T₅、第六MOS管T₆、第一忆阻器M₁、第一反相器N₁和第二反相器N₂以及第一电阻R₁；忆阻异步置位复位功能模块包括第二忆阻器M₂、第三忆阻器M₃、第四忆阻器M₄、第五忆阻器M₅以及第三反相器N₃；SR忆阻锁存器模块由忆阻器与CMOS混合构成，电路具有非易失性。忆阻异步置位复位功能模块由忆阻器构成的与门和或门构建而成，利用忆阻逻辑门电路最大化简化电路结构从而减少元器件数量。

技术领域

本发明属于电路设计技术领域，涉及一种功能齐全的SR忆阻锁存器电路，具体涉及一种带异步置位复位的CMOS混合型SR忆阻锁存器电路，实现电平触发、具有非易失性的特点和异步置位复位功能。

背景技术

忆阻器最早于1971年被提出，作为新型器件已经获得越来越多的关注。忆阻器具有非易失性和滞回等特性，利用这些特性可以将其应用于混沌电路、神经网络、数字逻辑电路等领域，尤其是存储电路，忆阻器的非易失特性在存储电路的应用具有巨大的优势，也取得了一系列的成果，例如数字电路基本触发器等。但目前忆阻器在触发器电路的设计，大部分还是基于传统存储电路进行改进，虽然用了忆阻器件，但整个电路的器件数并没有很大程度的减少，忆阻器可使电路结构更加简单的特性并未体现，电路复杂性带来的功耗过大等问题还是存在，因此本发明充分利用忆阻器的特性，与CMOS晶体管结合，采用新的结构设计混合型忆阻存储电路，拓展忆阻器在存储电路中的应用，为忆阻器在数字逻辑电路中的设计指引道路。

发明内容

针对现在技术和研究成本上所存在的问题，本发明提供了一种带异步置位复位的CMOS混合型SR忆阻锁存器电路，由CMOS和忆阻器构成，其中忆阻器采用Biolek阈值型忆阻器模型，在设计上可对该模型的最大阻值R_off、最小阻值R_on、参数β(用于控制忆阻器模型的阻值变化速率)、阈值电压V_t等关键参数进行直接调整。

本发明解决技术问题所采取的技术方案如下：