[发明专利]一种同轴封装的电吸收调制激光器装置在审

专利信息
申请号: 202110390601.8 申请日: 2021-04-12
公开(公告)号: CN112968351A 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 丁植;阳曦;罗榴 申请(专利权)人: 广东瑞谷光网通信股份有限公司
主分类号: H01S5/02255 分类号: H01S5/02255;H01S5/02326;H01S5/024
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 牛亭亭
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 同轴 封装 吸收 调制 激光器 装置
【说明书】:

发明涉及光纤通信技术领域,特别涉及一种同轴封装的电吸收调制激光器装置。装置包括管座、半导体制冷器、管帽组件、电吸收调制激光器芯片和热沉;管帽组件设置在管座上形成用于密封管座上安装元件的密封空间;管座包括承载面,在密封空间内,半导体制冷器设置在承载面上,热沉设置在半导体制冷器的背离承载面的一侧上;电吸收调制激光器芯片贴装于热沉靠近管座中心轴的一面上,管帽组件用于透射电吸收调制激光器芯片出射的信号光,电吸收调制激光器芯片出光的光轴与管座的中心轴相互重合。电吸收调制激光器芯片在垂直于承载面的方向直接出射信号光,管帽组件透射信号光,确保了光路的稳定性,提升电吸收调制激光器的可靠性。

技术领域

本发明涉及光纤通信技术领域,特别涉及一种同轴封装的电吸收调制激光器装置。

背景技术

电吸收调制激光器作为一种可靠的光源在长距离高速光纤传输系统中发挥着重要的作用。随着光通信行业的发展,更高速率,更长传输距离的激光器的需求持续增加。传统的激光器主要是采用内调制技术的直调式激光器,直调式激光器按调制信号对光源本身直接调制,以调制信号改变激光器的振荡参数,通过偏置电流的变化改变激光器输出特性以实现调制,加载信号是在激光振荡过程中进行,其体积小、结构简单、容易实现,并且成本低。但是频带利用率较低,因其特殊的啁啾效应,内调制的速率很难满足以太网长距离的传输,不能满足高速率光通信系统的需要。而采用外调制技术的电吸收激光器将激光光束直接发射在调制器上,用调制信号改变调制器的物理性能,从而使通过调制器的激光束光波的参量发生变化,降低啁啾效应,容易实现高速率光信号的调制,因此逐渐取代了直调式激光器成为市场主流。

早先的电吸收激光器主要采用BOX封装,其优势在于内置空间大,散热性能良好,但随着设备厂商小型化整合,BOX结构无法满足其尺寸要求,同时BOX封装成本也远大于同轴封装。同轴封装逐渐取代了BOX封装成为市场主流,采用同轴封装的方式一方面可以降低管壳的成本,另一方面可以随着主流的模块尺寸进行封装。

但是,目前市场上的电吸收激光器的同轴封装结构存在一个问题:电吸收调制激光器芯片卧式贴装在热沉上,若想让电吸收调制激光器芯片产生的激光从帽状壳体竖直发射到光纤适配器需在光路中增加45°反射镜,而反射镜贴片的精度将直接影响光路稳定性,进而影响耦合的光功率,工艺难度大,可靠性差。

发明内容

针对上述存在的技术问题,本申请提供一种同轴封装的电吸收调制激光器装置,提升光信号传输的稳定性。

一种同轴封装的电吸收调制激光器装置,包括管座、半导体制冷器、管帽组件、电吸收调制激光器芯片和热沉;

所述管帽组件设置在所述管座上,且形成有用于密封所述管座上安装元件的密封空间;

所述管座包括承载面,在所述密封空间内,所述半导体制冷器设置在所述承载面上,所述热沉设置在所述半导体制冷器的背离所述承载面的一侧上;

所述管帽组件用于透射电吸收调制激光器芯片出射的信号光,所述电吸收调制激光器芯片贴装于所述热沉靠近所述管座中心轴的一面上,所述电吸收调制激光器芯片出光的光轴与所述管座的中心轴相互重合。

优选地,所述管帽组件包括透镜和管帽,所述透镜设置在所述管帽上,所述透镜用于透射电吸收调制激光器芯片出射的信号光。

优选地,还包括钨铜块,所述钨铜块贴装于所述热沉远离所述电吸收调制激光器芯片的一面上,同时所述钨铜块设置在所述半导体制冷器上。

优选地,所述热沉与所述钨铜块采用银胶连接。

优选地,所述热沉选用氮化铝材料。

优选地,还包括背光探测器,所述背光探测器与所述热沉间隔预设距离设置在所述半导体制冷器上,所述背光探测器设置在所述电吸收调制激光器芯片的背光方向。

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