[发明专利]一种阵列基板的制备工艺、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

对第一膜层(2)进行湿法刻蚀，形成第一盲孔(21)；

在对所述第一膜层(2)进行刻蚀的一侧形成第二膜层(3)，所述第二膜层(3)覆盖所述第一盲孔(21)；

在对齐所述第一盲孔(21)处对所述第二膜层(3)进行湿法刻蚀，形成第二盲孔(31)；

对所述第二盲孔(31)的底部进行干法刻蚀，形成贯穿所述第一膜层(2)和所述第二膜层(3)的过孔(5)。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备工艺，其特征在于，在对齐所述第一盲孔(21)处对所述第二膜层(3)进行湿法刻蚀的步骤中，还包括：

在对齐所述第一盲孔(21)处对所述第二膜层(3)进行湿法刻蚀，形成贯穿或者未贯穿所述第二膜层(3)的所述第二盲孔(31)。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制备工艺，其特征在于，在对所述第二盲孔(31)的底部进行干法刻蚀的步骤中，还包括：

对位于所述第一盲孔(21)底部的所述第一膜层(2)进行干法刻蚀，或者，对位于所述第一盲孔(21)底部的所述第一膜层(2)和位于所述第二盲孔(31)底部的所述第二膜层(3)同时进行干法刻蚀。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制备工艺，其特征在于，在对第一膜层(2)进行湿法刻蚀的步骤之前，还包括以下步骤：

在衬底基板(6)上形成遮光层(1)；

在所述遮光层(1)背离所述衬底基板(6)的一侧形成所述第一膜层(2)。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制备工艺，其特征在于，在对第一膜层(2)进行湿法刻蚀的步骤中，还包括：

对所述第一膜层(2)背离所述遮光层(1)的一侧进行湿法刻蚀，形成所述第一盲孔(21)。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制备工艺，其特征在于，在对所述第一膜层(2)进行刻蚀的一侧形成第二膜层(3)的步骤之前，还包括以下步骤：

在所述第一膜层(2)进行刻蚀的一侧形成与所述第一盲孔(21)隔绝的有源层(4)；

在所述有源层(4)、所述第一盲孔(21)以及所述第一膜层(2)上共同形成所述第二膜层(3)。

7.如权利要求1所述的阵列基板的制备工艺，其特征在于，在对第一膜层(2)进行湿法刻蚀的步骤中，还包括：

在所述第一膜层(2)上涂抹光刻胶，在所述光刻胶上形成具有第一刻蚀孔的掩膜，并在所述第一刻蚀孔处进行湿法刻蚀。

8.如权利要求1所述的阵列基板的制备工艺，其特征在于，在对所述第一膜层(2)进行刻蚀的一侧形成第二膜层(3)的步骤中，还包括：

对所述第一膜层(2)进行刻蚀的一侧通过填充无机物形成所述第二膜层(3)。

9.如权利要求1所述的阵列基板的制备工艺，其特征在于，在对齐所述第一盲孔(21)处对所述第二膜层(3)进行湿法刻蚀的步骤中，还包括：

在对齐所述第一盲孔(21)处的所述第二膜层(3)上涂抹光刻胶，在所述光刻胶上形成具有第二刻蚀孔的掩膜，并在所述第二刻蚀孔处进行湿法刻蚀。

10.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的阵列基板的制备工艺制备而成，所述阵列基板包括：

第一膜层(2)，开设所述第一盲孔(21)；

第二膜层(3)，位于所述第一膜层(2)开设所述第一盲孔(21)的一侧，所述第二膜层(3)覆盖所述第一盲孔(21)，且对齐所述第一盲孔(21)处的所述第二膜层(3)开设所述第二盲孔(31)，所述第二盲孔(31)的底部开设有贯穿所述第一膜层(2)和所述第二膜层(3)的过孔(5)。

11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层(2)为缓冲层，所述第二膜层(3)为层间介质层。