[发明专利]一种阵列基板的制备工艺、阵列基板及显示装置

说明书

本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板的制备工艺、阵列基板及显示装置。该阵列基板的制备工艺包括以下步骤：对第一膜层进行湿法刻蚀，形成第一盲孔；在对第一膜层进行刻蚀的一侧形成第二膜层，第二膜层覆盖第一盲孔；在对齐第一盲孔处对第二膜层进行湿法刻蚀，形成第二盲孔；对第二盲孔进行干法刻蚀，形成贯穿第一膜层和第二膜层的过孔。本申请通过分步湿法刻蚀,第一步针对第一膜层进行湿法刻蚀形成未贯穿第一膜层的第一盲孔，第二步湿法刻蚀仅针对第二膜层，第二膜层完全覆盖第一盲孔，通过第二次湿法刻蚀后的第二膜层能够封闭第二膜层和第一膜层之间的界面，防止刻蚀液从横向进入界面钻刻，从而避免出现刻蚀裂缝。

技术领域

本申请总体来说涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板的制备工艺、阵列基板及显示装置。

背景技术

相关技术中，顶栅型TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)应用较为广泛，越来越受到关注。顶栅型TFT主要制备工艺如下：在衬底基板上依次沉积形成遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层以及栅极，在制备过程中，需要采用干刻工艺制备贯穿层间介质层和缓冲层的过孔。

显示面板的尺寸越来越大，并且分辨率越来越高，这就要求金属走线要做的足够窄，以此来降低传播延时(RC Delay)、提高开口率。然而，由于顶栅型TFT的栅极层和源漏极层均较厚，所以需要覆盖在其上面的层间介质层等也较厚，进而需要刻蚀打穿的过孔很深，所以需要的干刻时间很长，由于干刻工艺对光阻胶的损伤速率较快，目前的工艺已达到设备极限，随着待刻蚀的层间介质层的孔深进一步加大，已无法采用常规的干刻工艺进行打孔。

基于上述工艺问题，目前已有技术人员考虑采用刻蚀液进行湿法刻蚀，但是在湿法刻蚀过程中，由于缓冲层的致密性较高，而层间介质层安装在有源层上，其致密性较低，导致缓冲层和层间介质层的膜质差异较大，因而刻蚀液刻蚀到缓冲层和层间介质层的交界处容易发生横向钻刻，出现刻蚀裂缝。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决现有技术中采用湿法刻蚀，会出现刻蚀裂缝的技术问题，本申请提供一种避免膜层交界处出现刻蚀裂缝的阵列基板的制备工艺、阵列基板及显示装置。

为实现上述发明目的，本申请采用如下技术方案：

根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种阵列基板的制备工艺，包括以下步骤：

对第一膜层进行湿法刻蚀，形成第一盲孔；

在对所述第一膜层进行刻蚀的一侧形成第二膜层，所述第二膜层覆盖所述第一盲孔；

在对齐所述第一盲孔处对所述第二膜层进行湿法刻蚀，形成第二盲孔；

对第二盲孔的底部进行干法刻蚀，形成贯穿所述第一膜层和所述第二膜层的过孔。

在一个实施例中，在对齐所述第一盲孔处对所述第二膜层进行湿法刻蚀的步骤中，还包括：在对齐所述第一盲孔处对所述第二膜层进行湿法刻蚀，形成贯穿或者未贯穿所述第二膜层的所述第二盲孔。

在一个实施例中，在对第二盲孔的底部进行干法刻蚀的步骤中，还包括：对位于所述第一盲孔底部的所述第一膜层进行干法刻蚀，或者，对位于所述第一盲孔底部的所述第一膜层和位于所述第二盲孔底部的所述第二膜层同时进行干法刻蚀。

在一个实施例中，在对第一膜层进行湿法刻蚀步骤之前，还包括以下步骤：

在衬底基板上形成遮光层；

在所述遮光层背离所述衬底基板的一侧形成所述第一膜层；