[发明专利]一种2DWS2

权利要求书

1.一种2D WS₂/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器，其特征在于，由下至上依次包括：Si衬底层、AlN/AlGaN缓冲层、u-GaN缓冲层、InGaN层；所述InGaN层上有SiO₂窗口层、2D WS₂层、第一金属电极；所述2D WS₂层上有第二金属电极；

所述SiO₂窗口层设有孔，2D WS₂层位于SiO₂窗口层孔内，且SiO₂窗口层和2D WS₂层不接触；

所述的2D WS₂/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器的制备方法，包括以下步骤：

(1)用MOCVD在Si衬底上生长AlN/AlGaN缓冲层、u-GaN缓冲层、InGaN层；

(2)采用CVD技术在另一Si衬底上生长2D WS₂层；

(3)采用PECVD法在步骤(1)所述InGaN层部分区域沉积SiO₂窗口层，将步骤(2)得到的2DWS₂层进行湿法转移至InGaN层上；

(4)首先将InGaN层和步骤(3)得到的2D WS₂层进行匀胶，并烘干，然后进行曝光，并显影，最后经过氧离子处理，实现光刻操作；

(5)将步骤(4)得到的InGaN层和2D WS₂进行蒸镀金属电极，得到2D WS₂/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器。

2.根据权利要求1所述的2D WS₂/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器，其特征在于，所述Si衬底的厚度为420～430μm；所述AlN/AlGaN缓冲层包括AlN层和AlGaN层；所述u-GaN缓冲层的厚度为1.5～2.5μm；所述InGaN层的厚度为120～180nm；所述SiO₂窗口层的厚度为50～100nm；所述2D WS₂层的厚度为2～5nm。

3.根据权利要求2所述的2D WS₂/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器，其特征在于，所述AlN层的厚度为250～350nm，所述AlGaN层的厚度为400～600nm。

4.根据权利要求1所述的2D WS₂/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器，其特征在于，所述第一金属电极位于SiO₂窗口层外侧，且第一金属电极和SiO₂窗口层不接触。

5.根据权利要求1所述的2D WS₂/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器，其特征在于，所述第一金属电极和第二金属电极为Ni/Au金属层电极，所述Ni/Au金属层电极包括Ni层和Au层，所述Ni层和Au层的厚度分别为70～100nm。

6.权利要求1-5任一项所述的2D WS₂/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)用MOCVD在Si衬底上生长AlN/AlGaN缓冲层、u-GaN缓冲层、InGaN层；

(2)采用CVD技术在另一Si衬底上生长2D WS₂层；

(3)采用PECVD法在步骤(1)所述InGaN层部分区域沉积SiO₂窗口层，将步骤(2)得到的2DWS₂层进行湿法转移至InGaN层上；

(4)首先将InGaN层和步骤(3)得到的2D WS₂层进行匀胶，并烘干，然后进行曝光，并显影，最后经过氧离子处理，实现光刻操作；

(5)将步骤(4)得到的InGaN层和2D WS₂进行蒸镀金属电极，得到2D WS₂/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器。