[发明专利]一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法有效
| 申请号： | 202110393616.X | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113257660B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 赵剑锋;贺贤汉;杉原一男 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/04;B08B3/10 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对应 边缘 无端 处理 硅片 清洗 方法 | ||
1.一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，一次清洗槽内注入清洗剂以及双氧水，机械手将硅片放入一次清洗槽内，超声波清洗4-5分钟；
所述清洗剂包括质量百分比含量为20-30％的NH4OH以及质量百分比含量＜1％有机羧酸，所述清洗剂的余量为水；
步骤二，二次清洗槽内注入清洗剂以及双氧水，机械手将硅片从一次清洗槽内取出，放入二次清洗槽内，超声波清洗4-5分钟；
步骤三，用机械手将二次清洗槽内的硅片取出，放入三次清洗槽，三次清洗槽内注入去离子水，超声波清洗4-5分钟；
步骤四，用机械手将三次清洗槽内的硅片取出，放入四次清洗槽，四次清洗槽内注入去离子水，超声波清洗4-5分钟；
步骤五，硅片从水中慢提拉达到去除多余水分的效果，再配合红外线进行烘干，时间为4-5分钟；
还包括一存储有清洗剂的清洗剂桶；
清洗剂桶的出液口与自动补液流量泵的进口导通，所述自动补液流量泵的出口通过供液管路分别与一次清洗槽以及二次清洗槽导通，所述供液管路上安装有电磁阀；
步骤一中，每30分钟自动补充0.3L的清洗剂到一次清洗槽内；
步骤二中，每30分钟自动补充0.3L的清洗剂到二次清洗槽内；
步骤一，初始状态下，一次清洗槽内注入27.75L的去离子水，然后注入1.5L的清洗剂以及0.75L的双氧水；
步骤二，初始状态下，二次清洗槽内注入27.75L的去离子水，然后注入1.5L的清洗剂以及0.75L的双氧水。
2.根据权利要求1所述的一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法，其特征在于：步骤一，还包括一存储有双氧水的双氧水药液槽；
所述双氧水药液槽与一次清洗槽以及二次清洗槽导通。
3.根据权利要求1所述的一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法，其特征在于：步骤一中，一次清洗的时间为5分钟，一次清洗溶液的温度为60℃-70℃。
4.根据权利要求1所述的一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法，其特征在于：步骤二中，二次清洗的时间为5分钟，二次清洗溶液的温度为60℃-70℃。
5.根据权利要求1所述的一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法，其特征在于：步骤三中，去离子水的温度为常温。
6.根据权利要求1所述的一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法，其特征在于：步骤四中，去离子水的温度为常温。
7.根据权利要求1所述的一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法，其特征在于：双氧水的质量百分比浓度为31％。
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