[发明专利]一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法

说明书

本发明提供了一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法，包括如下步骤：步骤一，一次清洗槽内注入清洗剂以及双氧水，机械手将硅片放入一次清洗槽内，超声波清洗；清洗剂包括质量百分比含量为20‑30％的NH₄OH以及质量百分比含量＜1％有机羧酸，清洗剂的余量为水；步骤二，二次清洗槽内注入清洗剂以及双氧水，将硅片放入二次清洗槽内超声波清洗；步骤三，用机械手将硅片放入三次清洗槽，三次清洗槽内注入去离子水，超声波清洗；步骤四，用机械手将三次清洗槽内的硅片取出，放入四次清洗槽，四次清洗槽内注入去离子水。本发明在清洗剂中含有有机羧酸，能够通过鳌合作用和硅片上携带的金属离子鳌合，且不会与硅片表面的氧化层反应。

技术领域

本发明涉及硅片处理技术领域，具体涉及一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法。

背景技术

边缘无端处理的硅片是指硅片边缘在前段工序倒角后，不再对边缘进行处理，导致边缘较粗糙，后续APCVD成膜时，硅片表面生长一层氧化层(SiO₂)，二氧化硅分子会在边缘粗糙处不规则堆叠，形成不致密的边缘氧化层。

在HF去除硅片表面金属的过程中，利用硅片表面氧化层(SiO₂)和HF发生化学反应，使得在氧化层中的金属杂质一并溶解到清洗液中，从而达到去金属的目的。而无端处理的硅片在表面氧化层发生反应的同时，硅片边缘处不规则氧化层部分会被剥离掉落在硅片表面，导致表面大量群集颗粒不良。

目前缺乏一种既能保证金属问题，又不会破坏边缘氧化层，且适用于边缘无端处理的硅片清洗方式。

发明内容

本发明是为解决上述技术问题而进行的，通过改良清洗方法，兼顾了金属问题又不会破坏边缘氧化层，提供了一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

本发明提供了一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，一次清洗槽内注入清洗剂以及双氧水，机械手将硅片放入一次清洗槽内，超声波清洗4-5分钟；

所述清洗剂包括质量百分比含量为20-30％的NH₄OH以及质量百分比含量＜1％有机羧酸，所述清洗剂的余量为水；

步骤二，二次清洗槽内注入清洗剂以及双氧水，机械手将硅片从一次清洗槽内取出，放入二次清洗槽内，超声波清洗4-5分钟；

步骤三，用机械手将二次清洗槽内的硅片取出，放入三次清洗槽，三次清洗槽内注入去离子水，超声波清洗4-5分钟；

步骤四，用机械手将三次清洗槽内的硅片取出，放入四次清洗槽，四次清洗槽内注入去离子水，超声波清洗4-5分钟；

步骤五，硅片从水中慢提拉达到去除多余水分的效果，再配合红外线进行烘干，时间为4-5分钟。

本发明通过优化硅片APCVD工艺之后的清洗方法，在清洗混合液中含有有机羧酸，能够通过鳌合作用和硅片表面的金属离子鳌合，且不会与氧化层反应。螯合作用形成稳定的水溶性螯合物可溶于水，也不会附着在硅片上。

进一步优选的，步骤一，还包括一存储有双氧水的双氧水药液槽；

所述双氧水药液槽与一次清洗槽以及二次清洗槽导通。

便于向清洗槽内注入双氧水。

进一步优选的，还包括一个可拆卸的容量为20L的清洗剂桶；

清洗剂桶的出液口与自动补液流量泵的进口导通，所述自动补液流量泵的出口通过供液管路分别与一次清洗槽以及二次清洗槽导通，所述供液管路上安装有电磁阀。

通过流量泵便于自动加液。