[发明专利]一种阵列基板结构、显示装置及阵列基板结构的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括第一金属层、有源层、第三金属层和辅助金属层；所述第一金属层形成栅极，所述第三金属层形成源极和漏极，所述源极和漏极之间的有源层为沟道区域；所述第三金属层位于所述第一金属层的上方，所述辅助金属层位于所述第一金属层和第三金属层之间，所述第一金属层、第三金属层和辅助金属层之间通过绝缘层隔开；所述第一金属层、辅助金属层与夹在所述第一金属层和辅助金属层之间的绝缘层构成第一存储电容；所述第三金属层、辅助金属层与夹在所述第三金属层和辅助金属层之间的绝缘层构成第二存储电容；

还包括基板、设于所述基板上的由第一金属层形成的栅极、设于所述基板和栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述有源层和栅极绝缘层上的刻蚀阻挡层、设于所述刻蚀阻挡层上的辅助金属层、设于所述刻蚀阻挡层和辅助金属层上的钝化层、穿过所述钝化层和刻蚀阻挡层且分别对应于所述有源层的两侧上方的第一过孔和第二过孔、设于所述钝化层上的第三金属层，所述第三金属层分别通过所述第一过孔和第二过孔与所述有源层连接；所述第三金属层在所述第一过孔和第二过孔处分别形成源极和漏极；

所述有源层由IGZO薄膜材料形成；

所述第一金属层、辅助金属层和第三金属层均为Mo/Al/Mo夹心层结构。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括设于所述源极、漏极和钝化层上的平坦化层、穿过所述平坦化层且对应于所述漏极上方的第三过孔、设于所述平坦化层上且通过所述第三过孔与所述漏极连接的阳极以及设于所述平坦化层和阳极上的第四绝缘层，所述第四绝缘层的对应于所述阳极上方的位置设有第四过孔。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极为ITO/Ag/ITO夹心层结构。

4.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1~3任意一项所述的阵列基板。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层和刻蚀阻挡层，所述栅极由第一金属层形成；

步骤2：在所述刻蚀阻挡层上形成辅助金属层；

步骤3：在所述刻蚀阻挡层和辅助金属层上形成钝化层；

步骤4：通过一次构图工艺同时对钝化层和刻蚀阻挡层图案化，形成均与有源层连接的第一过孔和第二过孔；

步骤5：在所述钝化层上形成第三金属层，所述第三金属层通过所述第一过孔和第二过孔与所述有源层连接；所述第三金属层在所述第一过孔和第二过孔处分别形成源极和漏极。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述步骤5之后还包括在如下步骤：

在所述钝化层、源极和漏极上形成平坦化层；

对所述平坦化层进行图案化处理，形成第三过孔；所述第三过孔穿过所述平坦化层与所述漏极连接；

在所述平坦化层上形成阳极，所述阳极通过所述第三过孔与所述漏极连接；

以及在所述平坦化层和阳极上沉积第四绝缘层，对所述第四绝缘层进行图案化处理，在第四绝缘层的对应于所述阳极上方的位置形成第四过孔。

7.根据权利要求5或6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成有源层的步骤为：在栅极绝缘层上通过物理气相沉积法沉积IGZO薄膜，然后经过曝光、刻蚀和剥离工艺形成所需的有源层图案。