[发明专利]气浮卡盘及晶圆几何参数测量装置在审
申请号: | 202110396624.X | 申请日: | 2021-04-13 |
公开(公告)号: | CN113130368A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 陈建强;曾安;唐寿鸿 | 申请(专利权)人: | 南京中安半导体设备有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 秦卫中 |
地址: | 210000 江苏省南京市自由贸易试*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卡盘 几何 参数 测量 装置 | ||
1.一种气浮卡盘,其特征在于,包括:
由多孔材料组成的第一多孔层;
进气层,与所述第一多孔层堆叠设置且与供应第一气体的第一气体供应部件连接,用于向所述第一多孔层传输所述第一气体以利用所述第一气体提供的支撑力使晶圆悬浮。
2.根据权利要求1所述的气浮卡盘,其特征在于,所述多孔材料包括多孔碳、多孔聚合物、多孔碳化纤维、多孔陶瓷、多孔钢、透气钢、多孔金属和透气金属中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的气浮卡盘,其特征在于,所述进气层与供应第二气体的第二气体供应部件连接,所述进气层还用于经所述第一多孔层传输所述第二气体以利用所述第二气体提供的吸力调整所述晶圆的第一表面的形状,所述第一表面为所述晶圆靠近所述第一多孔层的表面。
4.根据权利要求3所述的气浮卡盘,其特征在于,所述第一多孔层包括用于使所述第一气体通过且与所述第一气体供应部件连通的多个第一区域和用于使所述第二气体通过且与所述第二气体供应部件连通的多个第二区域。
5.根据权利要求4所述的气浮卡盘,其特征在于,所述多个第一区域和所述多个第二区域交替布置。
6.根据权利要求1所述的气浮卡盘,其特征在于,所述进气层的中部为空心结构,所述空心结构的开口与所述第一多孔层靠近所述进气层的表面接触,所述第一气体供应部件供应的第一气体进入所述空心结构中后向所述第一多孔层传输。
7.根据权利要求1所述的气浮卡盘,其特征在于,还包括:
参考部件,套设于所述第一多孔层的外侧以利用所述参考部件远离所述进气层的表面作为参考平面校准所述第一多孔层远离所述进气层的表面,其中,所述晶圆在所述第一多孔层上的正投影被所述第一多孔层覆盖。
8.根据权利要求7所述的气浮卡盘,其特征在于,所述参考部件远离所述进气层的表面与所述第一多孔层远离所述进气层的表面具有相同或不同的反射率。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的气浮卡盘,其特征在于,还包括:
第二多孔层,位于所述第一多孔层远离所述进气层的表面的上方,所述第二多孔层的硬度大于所述第一多孔层的硬度。
10.一种晶圆几何参数测量装置,其特征在于,包括:
如权利要求1-9中任一项所述的气浮卡盘;
干涉仪,用于获取晶圆的第二表面的干涉条纹图像,以基于所述干涉条纹图像对所述晶圆进行形状测量和/或平整度测量,所述第二表面为所述晶圆远离所述气浮卡盘的表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造