[发明专利]气浮卡盘及晶圆几何参数测量装置在审
申请号: | 202110396624.X | 申请日: | 2021-04-13 |
公开(公告)号: | CN113130368A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 陈建强;曾安;唐寿鸿 | 申请(专利权)人: | 南京中安半导体设备有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 秦卫中 |
地址: | 210000 江苏省南京市自由贸易试*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卡盘 几何 参数 测量 装置 | ||
本申请提供了一种气浮卡盘及晶圆几何参数测量装置。该气浮卡盘包括由多孔材料组成的第一多孔层;进气层,与第一多孔层堆叠设置且与供应第一气体的第一气体供应部件连接,用于向第一多孔层传输第一气体以利用第一气体提供的支撑力使晶圆悬浮。本申请实施例能够利用气浮卡盘提供均匀的气浮条件,避免由于气流的不稳定或卡盘结构设计缺陷等原因造成晶圆很难稳定地悬浮在卡盘上方。
技术领域
本申请涉及晶圆制造技术领域,具体涉及一种气浮卡盘及晶圆几何参数测量装置。
背景技术
在晶圆的制备或测量等过程中,通常采用夹持的方式将晶圆固定在卡盘上方。然而,使用上述固定晶圆的方法具有一定的缺陷,如夹持的力度较大容易使晶圆的原始形状发生变化,另外,由于夹持工具的清洁度难以保证也容易在晶圆上产生碎屑颗粒或其他污染物,因而对晶圆几何参数的造成较大的测量误差。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例致力于提供一种气浮卡盘及晶圆几何参数测量装置,以解决晶圆测量误差的问题。
本申请的第一方面提供了一种气浮卡盘,该气浮卡盘包括由多孔材料组成的第一多孔层;进气层,与第一多孔层堆叠设置且与供应第一气体的第一气体供应部件连接,用于向第一多孔层传输第一气体以利用第一气体提供的支撑力使晶圆悬浮。
在本申请一实施例中,多孔材料包括多孔碳、多孔聚合物、多孔碳化纤维、多孔陶瓷、多孔钢、透气钢、多孔金属和透气金属中的一种或多种。
在本申请一实施例中,进气层与供应第二气体的第二气体供应部件连接,进气层还用于经第一多孔层传输第二气体以利用第二气体提供的吸力调整晶圆的第一表面的形状,第一表面为晶圆靠近第一多孔层的表面。
在本申请一实施例中,第一多孔层包括用于使第一气体通过且与第一气体供应部件连通的多个第一区域和用于使第二气体通过且与第二气体供应部件连通的多个第二区域。
在本申请一实施例中,多个第一区域和多个第二区域交替布置。
在本申请一实施例中,进气层的中部为空心结构,空心结构的开口与第一多孔层靠近进气层的表面接触,第一气体供应部件供应的第一气体进入空心结构中后向第一多孔层传输。
在本申请一实施例中,气浮卡盘还包括参考部件,套设于第一多孔层的外侧以利用参考部件远离进气层的表面作为参考平面校准第一多孔层远离进气层的表面,其中,晶圆在第一多孔层上的正投影被第一多孔层覆盖。
在本申请一实施例中,参考部件远离进气层的表面与第一多孔层远离进气层的表面具有相同或不同的反射率。
在本申请一实施例中,气浮卡盘还包括:第二多孔层,位于第一多孔层远离进气层的表面的上方,第二多孔层的硬度大于第一多孔层的硬度。
本申请的第二方面提供了一种晶圆几何参数测量装置,该晶圆几何参数测量装置包括如本申请的第一方面提供的任何一种气浮卡盘;干涉仪,用于获取晶圆的第二表面的干涉条纹图像,以基于干涉条纹图像对晶圆进行形状测量和/或平整度测量,第二表面为晶圆远离气浮卡盘的表面。
根据本申请实施例提供的技术方案,通过设置气浮卡盘包括由多孔材料组成的第一多孔层和与第一多孔层堆叠设置的进气层,从而利用气浮卡盘提供均匀的气浮条件,解决晶圆测量误差的问题,同时避免了由于气流的不稳定或卡盘结构设计缺陷等原因造成晶圆很难稳定地悬浮在卡盘上方。
附图说明
图1示出了根据本申请一实施例提供的一种气浮卡盘的断面示意图。
图2A和图2B示出了根据本申请另一实施例提供的一种气浮卡盘的断面示意图。
图2C示出了根据本申请一实施例提供的一种气浮卡盘的俯视示意图。
图2D示出了根据本申请另一实施例提供的一种气浮卡盘的俯视示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造