[发明专利]一种镀膜检测装置、镀膜设备

说明书

本申请实施例提供一种镀膜检测装置、镀膜设备。镀膜监测装置包括：安装架，至少用于设置位于检测位置的第一检测片和位于预处理位置的第二检测片；检测位置，被配置为使位于检测位置的第一检测片接收膜层材料沉积；预处理位置，被配置为使位于预处理位置的第二检测片接收预处理，以在第二检测片表面形成预设膜层；第一驱动机构，与安装架连接，用于驱动安装架运动，以将预处理后的第二检测片由预处理位置输送至检测位置。本公开的技术方案，可以消耗掉第二检测片的前期不稳定状态，当采用第二检测片来检测镀膜速率时，第二检测片性能稳定，不会出现温度速率的无规则波动，有利于对实际膜厚的控制，提高了生产效率。

技术领域

本公开涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种镀膜检测装置、镀膜设备。

背景技术

真空蒸镀等镀膜工艺被广泛应用于有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)显示装置等产品的生产过程中。这些产品中的某些膜层的厚度非常低，通常在几纳米至几百纳米之间，如果厚度异常则可能导致产品的性能异常，所以需要对膜层的厚度进行监测，从而对镀膜过程进行控制，实现对膜层厚度的控制。

现有的膜层厚度检测通常通过QCM(Quartz Crystal Microbalance,石英晶体微天平)实现。镀膜过程中，膜层的材料会沉积在QCM晶振片上，导致QCM晶振片的固有频率改变，根据固有频率变化速率可以确定镀膜速率，进而对镀膜速率进行控制。现有技术中的QCM，在切换到下一个晶振片之后，会出现温度速率的无规则波动，对产品实际膜厚控制造成影响，不利于控制膜厚均一性，并且剧烈波动还可能造成一定时间的宕机。若由晶振片厂商处理该问题，会造成成本上升，而且不能灵活应对蒸镀材料更换。

发明内容

本公开实施例提供一种镀膜检测装置、镀膜设备，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种镀膜检测装置，

包括：

安装架，至少用于设置位于检测位置的第一检测片和位于预处理位置的第二检测片；

检测位置，被配置为使位于检测位置的第一检测片接收膜层材料沉积；

预处理位置，被配置为使位于预处理位置的第二检测片接收预处理，以在第二检测片表面形成预设膜层；

第一驱动机构，与安装架连接，用于驱动安装架运动，以将预处理后的第二检测片由预处理位置输送至检测位置。

在一些可能的实现方式中，装置还包括：

阻挡机构，沿预处理方向设置在预处理位置的前侧，被配置为在预处理阶段位于第一位置，以使位于预处理位置的第二检测片接收预处理，在非预处理阶段位于第二位置以遮挡第二检测片。

在一些可能的实现方式中，沿安装架的周向设置有至少两个用于安装检测片的安装位，其中一个安装位与检测位置相对应，其中一个安装位与预处理位置相对应，第一驱动机构用于驱动安装架旋转，以使各安装位依次与预处理位置相对应、与检测位置相对应。

在一些可能的实现方式中，安装架的横截面呈正多边形，各安装位与安装架的一个侧壁相对应，第一驱动机构被配置为驱动安装件旋转预设角度，以使各安装位依次与预处理位置相对应、与检测位置相对应。

在一些可能的实现方式中，安装架包括至少两个依次连接的本体，安装架还包括与本体相对应的固定板，固定板压设在本体上，安装位为设置在本体和固定板之间且用于安装检测片的容纳槽，固定板开设有用于暴露检测片表面的第一镂空，以使检测片通过第一镂空接收膜层材料沉积或者预处理。

在一些可能的实现方式中，相邻两个本体通过铰接结构连接，至少两个本体通过铰接结构弯折成正多边形。