[发明专利]有源矩阵基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 202110397004.8 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN113540122B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 原健吾;大东彻;菊池哲郞;铃木正彦;西宫节治;高畑仁志 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 叶乙梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有源 矩阵 显示装置
【权利要求书】:

1.一种有源矩阵基板,其具有:

显示区域,其包括多个像素区域;以及

非显示区域,其位于显示区域的周边,且包含形成有周边电路的周边电路形成区域,所述有源矩阵基板的特征在于,

所述有源矩阵基板具备:

基板;

由所述基板支承的多条源极总线以及多条栅极总线;

多个氧化物半导体TFT,其由所述基板支承,并包括多个像素TFT以及构成所述周边电路的多个电路TFT,所述多个像素TFT分别与所述多个像素区域中的一个对应设置,

所述多个氧化物半导体TFT的每一个氧化物半导体具有氧化物半导体层及栅极,所述氧化物半导体层包含沟道区域,所述栅极隔着栅极绝缘层配置于所述氧化物半导体层的所述沟道区域上,

所述多个氧化物半导体TFT包括多个第一TFT以及多个第二TFT和/或多个第三TFT,

所述多个第一TFT的每一个第一TFT具有第一遮光结构,所述第一遮光结构具有第一遮光层,所述第一遮光层以从所述基板的法线方向观察时与所述沟道区域的整体重叠的方式配置于所述氧化物半导体层与所述基板之间,

所述多个第二TFT的每一个第二TFT具有第二遮光结构,在所述氧化物半导体层与所述基板之间未配置遮光层,

所述多个第三TFT的每一个第三TFT具有第三遮光结构,所述第三遮光结构具有第二遮光层,所述第二遮光层以从所述基板的法线方向观察时仅与所述沟道区域的一部分重叠的方式配置于所述氧化物半导体层与所述基板之间,

所述多个第一TFT包括所述多个像素TFT,所述多个第二TFT和/或所述多个第三TFT包括所述多个电路TFT的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于,

所述周边电路包括SSD电路,其向所述多条源极总线中的n条源极总线分配显示信号,

所述多个第二TFT和/或所述多个第三TFT包含多个SSD电路用TFT,其构成所述SSD电路。

3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于,

所述周边电路还具备栅极驱动器,其与所述多条栅极总线连接,

所述多个第二TFT和/或所述多个第三TFT包含多个栅极驱动器用TFT,其构成所述栅极驱动器。

4.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于,

所述多个氧化物半导体TFT包括所述多个第二TFT和所述多个第三TFT两者。

5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板,其特征在于,

所述周边电路包括SSD电路以及栅极驱动器,所述SSD电路向所述多条源极总线中的n条源极总线分配显示信号,所述栅极驱动器与所述多条栅极总线连接,

所述多个第二TFT包括多个SSD电路用TFT,其构成所述SSD电路,

所述多个第三TFT包含多个栅极驱动器用TFT,其构成所述栅极驱动器。

6.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于,

所述多个氧化物半导体TFT包括所述多个第三TFT,

从所述基板的法线方向观察时,所述各个第三TFT的所述沟道区域具有遮光部和光入射部,所述遮光部与所述第二遮光层重叠,所述光入射部与所述第二遮光层不重叠,所述遮光部相对于所述沟道区域的面积比例AR为25%以上且75%以下。

7.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于,

所述多个氧化物半导体TFT包括所述多个第三TFT,

从所述基板的法线方向观察时,所述各个第三TFT的所述沟道区域具有遮光部和光入射部,所述遮光部与所述第二遮光层重叠,所述光入射部与所述第二遮光层不重叠,

所述多个第三TFT包括多个TFT,所述多个TFT中从所述基板的法线方向观察时的所述遮光部相对于所述沟道区域的面积比例AR相互不同。

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