[发明专利]有源矩阵基板及显示装置

说明书

有源矩阵基板具备多条源极总线以及多条栅极总线；多个氧化物半导体TFT，分别包括多个像素TFT以及多个电路TFT，各氧化物半导体TFT有氧化物半导体层和栅极，多个氧化物半导体TFT包括多个第一TFT和多个第二TFT和/或多个第三TFT，各第一TFT具有第一遮光结构，其以从基板的法线方向观察时与沟道区域的整体重叠的方式在氧化物半导体层和基板之间配置有第一遮光层，各第二TFT具有在氧化物半导体层和基板之间未配置遮光层的第二遮光结构，各第三TFT具有第三遮光结构，其以从基板的法线方向观察时仅与沟道区域的一部分重叠的方式在各氧化物半导体层和基板之间配置有第二遮光层，多个第一TFT包含多个像素TFT，多个第二TFT和/或多个第三TFT包含多个电路TFT的至少一部分。

技术领域

本发明涉及一种有源矩阵基板以及具备有源矩阵基板的显示装置。

背景技术

显示装置中所使用的有源矩阵基板包括含有多个像素区域的显示区域和显示区域以外的非显示区域(也称为“边框区域”或“周边区域”。)。像素区域是与显示装置的像素对应的区域。在各像素区域中，作为开关元件配置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor：以下，“TFT”)。

近年来，作为TFT的活性层的材料，提出了使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅的技术。将这样的TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT与非晶硅TFT相比能够以更高速动作。此外，氧化物半导体膜能够利用比多晶硅膜简便的工艺形成，因此也能够应用于需要大面积的装置。

氧化物半导体TFT多数为底栅型TFT，但也提出了顶栅型的氧化物半导体TFT。例如，专利文献1公开了一种顶栅型TFT，其隔着栅极绝缘层在氧化物半导体层的一部分上配置有栅极。

在有源矩阵基板的非显示区域中，存在单片(一体的)形成栅极驱动器等驱动电路的情况。通过单片形成驱动电路，从而实现非显示区域的狭小化、基于安装工序简化的成本降低。例如，有时在非显示区域中，栅极驱动器电路形成为单片，源极驱动器电路以COG(Chip on Glass)方式安装。

在智能手机等窄边框化要求较高的设备中，在提出了栅极驱动器的基础上，还提出了单片形成源切换(Source Shared Driving：SSD)电路等多路分配器电路的方案(例如专利文献1)。SSD电路是将显示信号从来自源极驱动器的各端子的视频信号线一条分配至多条源极总线的电路。通过搭载SSD电路，能够进一步缩小非显示区域中的配置有端子部的区域(端子部形成区域)。此外，由于来自源极驱动器的输出数量减少，能够减小电路规模，因此能够降低驱动器IC的成本。

驱动电路、SSD电路等周边电路包含TFT。在本说明书中，将作为开关元件配置于显示区域的各像素的TFT称为“像素TFT”，将构成周边电路的TFT称为“电路TFT”。此外，将电路TFT中的在SSD电路中作为开关元件使用的TFT称为“SSD电路用TFT”，将栅极驱动器电路中所使用的TFT称为“栅极驱动器电路用TFT”。在使用氧化物半导体TFT作为像素TFT的有源矩阵基板中，从制造工艺的观点出发，作为电路TFT，期望形成使用了与像素TFT相同的氧化物半导体膜的氧化物半导体TFT。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2017/085591号

发明内容

本发明所要解决的技术问题

本发明人研究后，在有源矩阵基板上形成的一部分的TFT中，由于有源矩阵基板的驱动，其阈值电压有可能向正方向偏移(Plus shift，正向偏移)。其结果是，得不到所期望的TFT特性，有源矩阵基板的可靠性有可能降低。例如，在SSD电路用TFT或者一部分栅极驱动器电路用TFT中，阈值电压的平移容易变大。详情将后述。

本发明的一个实施方式提供一种有源矩阵基板，具备能够抑制阈值电压的正向偏移的氧化物半导体TFT。