[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法有效
申请号: | 202110397636.4 | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN113238418B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 刘洋;李德彦;易军 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1335;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 汪阮磊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
基板;
薄膜晶体管层,设置在所述基板上,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管组件,所述薄膜晶体管组件包括至少一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管与第一导电层电连接;
钝化层,设置在所述薄膜晶体管层上,所述钝化层上包括与所述薄膜晶体管对应的薄膜晶体管区,所述钝化层在所述薄膜晶体管区内设有第一通孔和第二通孔;
像素电极层,设置在所述钝化层上,所述像素电极层包括像素电极;
其中,所述像素电极分别穿过所述第一通孔和所述第二通孔与所述第一导电层连接;
所述薄膜晶体管组件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述薄膜晶体管区包括与所述第一薄膜晶体管对应的第一子区和与所述第二薄膜晶体管对应的第二子区,所述像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极;
所述钝化层在所述第一子区内设有所述第一通孔和所述第二通孔,所述第一子像素电极分别穿过所述第一子区内的第一通孔和第二通孔与所述第一导电层连接;和/或,
所述钝化层在所述第二子区内设有所述第一通孔和所述第二通孔,所述第二子像素电极分别穿过所述第二子区内的第一通孔和第二通孔与所述第一导电层连接;
所述像素电极层包括与所述第一子像素电极电连接的多条第一导电线,所述第一子像素电极通过至少两条所述第一导电线与所述第一薄膜晶体管的第一导电层连接;
所述像素电极层包括与所述第二子像素电极电连接的多条第二导电线,所述第二子像素电极通过至少两条所述第二导电线与所述第二薄膜晶体管的第一导电层连接;
所述第二通孔的深度小于或者等于所述第一通孔的深度。
2.根据权利要求1所述 的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置在所述像素电极层上的彩色滤光层,所述彩色滤光层上设有开口,所述第一通孔与所述开口对应,所述第二通孔与所述开口错开。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管还分别与第二导电层电连接,所述第二导电层位于所述基板与所述第一导电层之间;
与所述第一薄膜晶体管对应的第一导电层包括第一电极,与所述第一薄膜晶体管对应的第二导电层包括第二电极,所述第一电极和第二电极之间形成第一存储电容,所述第一存储电容位于所述第一子区内并与所述第一通孔位置对应。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,与所述第二薄膜晶体管对应的第一导电层包括第三电极,与所述第二薄膜晶体管对应的第二导电层包括第四电极,所述第三电极和所述第四电极之间形成第二存储电容,所述第二存储电容位于所述第二子区内并与所述第一通孔位置对应。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,与所述第一薄膜晶体管对应的第一导电层还包括位于所述第一子区内的第一连接线,所述第一连接线的一端与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接,所述第一连接线的另一端分别穿过所述第一子区内的第一通孔以及第二通孔与所述第一子像素电极电连接;
与所述第二薄膜晶体管对应的第一导电层还包括位于所述第二子区内的第二连接线,所述第二连接线的一端与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接,所述第二连接线的另一端分别穿过所述第二子区内的第一通孔以及第二通孔与所述第二子像素电极电连接。
6.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板。
7.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,用于形成如权利要求1所述的阵列基板,所述制作方法包括如下步骤:
提供一基板;
在所述基板上制作薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管与第一导电层电连接;
在所述薄膜晶体管层上制作钝化层,所述钝化层上包括与所述薄膜晶体管对应的薄膜晶体管区;
在所述钝化层的薄膜晶体管区内开设第一通孔和第二通孔;
在钝化层上制作像素电极层,所述像素电极层包括像素电极,所述像素电极分别穿过所述第一通孔和所述第二通孔与所述第一导电层电连接。
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