[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

说明书

本申请提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，包括依次层叠设置的基板、薄膜晶体管层、钝化层、像素电极层和彩色滤光层；薄膜晶体管层包括至少一个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括第一导电层；钝化层上包括与薄膜晶体管对应的薄膜晶体管区、并在薄膜晶体管区内设有第一通孔和第二通孔；像素电极层包括像素电极，彩色滤光层上设有开口，第一通孔与开口对应，第二通孔与开口错开，像素电极分别穿过第一通孔和第二通孔与第一导电层连接。通过在钝化层上设置第一通孔和第二通孔，并使像素电极穿过两个通孔与第一导电层连接，保证了像素电极和第一导电层之间的电连接，避免了因为像素电极在与第一导电层的连接处发生断裂而导致的灰阶暗点问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)液晶显示面板具有体积小、对比度高等优点，其应用越来越广泛。TFT液晶显示面板中的像素电极层采用氧化铟锡(Indium TinOxid，ITO)薄膜制成，ITO薄膜通过过孔与TFT液晶显示面板中的金属电极层连接。然而，现有的TFT液晶显示面板中，ITO薄膜在与金属电极层的过孔连接处容易发生断裂或成膜质量差，导致像素电极层与金属电极层搭接不良，从而使显示面板出现灰阶暗点，影响了显示面板的质量。

发明内容

本申请提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，旨在解决现有的TFT液晶显示面板中存在的容易出现灰阶暗点的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括：

基板；

薄膜晶体管层，设置在所述基板上，所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包括至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与第一导电层电连接；

钝化层，设置在所述薄膜晶体管层上，所述钝化层上包括与所述薄膜晶体管对应的薄膜晶体管区，所述钝化层在所述薄膜晶体管区内设有第一通孔和第二通孔；

像素电极层，设置在所述钝化层上，所述像素电极层包括像素电极；

其中，所述像素电极分别穿过所述第一通孔和所述第二通孔与所述第一导电层连接。

可选的，所述阵列基板还包括设置在所述像素电极层上的彩色滤光层，所述彩色滤光层上设有开口，所述第一通孔与所述开口对应，所述第二通孔与所述开口错开。

可选的，所述薄膜晶体管组件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述薄膜晶体管区包括与所述第一薄膜晶体管对应的第一子区和与所述第二薄膜晶体管对应的第二子区，所述像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极；

所述钝化层在所述第一子区内设有所述第一通孔和所述第二通孔，所述第一子像素电极分别穿过所述第一子区内的第一通孔和第二通孔与所述第一导电层连接；和/或，

所述钝化层在所述第二子区内设有所述第一通孔和所述第二通孔，所述第二子像素电极分别穿过所述第二子区内的第一通孔和第二通孔与所述第一导电层连接。

可选的，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管还分别与第二导电层电连接，所述第二导电层位于所述基板与所述第一导电层之间；

与所述第一薄膜晶体管对应的第一导电层包括第一电极，与所述第一薄膜晶体管对应的第二导电层包括第二电极，所述第一电极和第二电极之间形成第一存储电容，所述第一存储电容位于所述第一子区内并与所述第一通孔位置对应。

可选的，与所述第二薄膜晶体管对应的第一导电层包括第三电极，与所述第二薄膜晶体管对应的第二导电层包括第四电极，所述第三电极和所述第四电极之间形成第二存储电容，所述第二存储电容位于所述第二子区内并与所述第一通孔位置对应。