[发明专利]恒压装置

权利要求书

1.一种恒压装置，其特征在于，具备：

二极管；

开关，该开关的一方的端子与接地电位连接，该开关的另一方的端子与PMOS晶体管的漏极以及所述二极管的阳极端子连接，对所述PMOS晶体管的源极施加电源电压；

电压生成电路，生成预先决定的大小的电压；以及

差动放大器，所述二极管的阴极端子、以及所述电压生成电路的输出端子与所述差动放大器的非反相输入端子连接，向所述非反相输入端子施加的基准电压的供给路径根据所述开关的状态而变化，

所述电压生成电路使用基于所述基准电压而由所述差动放大器放大的输出电压来生成所述基准电压。

2.根据权利要求1所述的恒压装置，其特征在于，

通过NMOS晶体管的背栅极端子与漏极端子之间的pn结而构成所述二极管，所述NMOS晶体管形成于隔着绝缘层而存在于支承基板上的活性层。

3.根据权利要求2所述的恒压装置，其特征在于，

利用绝缘体包围所述NMOS晶体管的周围，以便分别形成于所述活性层的所述二极管与其他元件被电绝缘。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的恒压装置，其特征在于，

所述恒压装置具备控制电路，在所述控制电路中，在所述输出电压不足规定电压的情况下，以从所述二极管以及所述电压生成电路向所述差动放大器的非反相输入端子供给所述基准电压的方式控制所述开关，在所述输出电压为所述规定电压以上的情况下，以从所述电压生成电路向所述差动放大器的非反相输入端子供给所述基准电压的方式控制所述开关。