[发明专利]恒压装置

说明书

本发明提供一种与由依赖于电源电压的电压生成基准电压的情况相比较，输出电压能够不依赖于电源电压的恒压装置。恒压装置(1)具备：二极管(D1)；开关(SW1)，其一方的端子与接地电位连接，另一方的端子与二极管(D1)的阳极端子连接的；BGR电路(U2)，生成VBGR电压；以及差动放大器(AMP)，二极管(D1)的阴极端子以及BGR电路(U2)的输出端子与差动放大器(AMP)的非反相输入端子连接，向非反相输入端子施加的基准电压的供给路径根据开关(SW1)的状态而变化，BGR电路(U2)基于基准电压而使用由差动放大器(AMP)放大的输出电压来生成VBGR电压。

技术领域

本发明涉及恒压装置，特别是涉及被应用于线性方式的恒压装置的有效技术。

背景技术

如专利文献1所示，以往提出了一种线性方式的恒压装置。

图4是表示采用了这种以往的线性方式的恒压装置所使用的装置结构例的图。

以往的恒压装置100例如具备启动电路U1、BGR(Band Gap Reference：带隙参考)电路U2、差动放大器AMP、PMOS晶体管Tr1、电阻R1以及电阻R2。

若施加电源电压VBB，则经由启动电路U1向BGR电路U2供给VREG电压。BGR电路U2将VREG电压作为输入电压生成成为恒压装置100的基准电压的VBGR电压。

由差动放大器AMP、PMOS晶体管Tr1、以及形成反馈电路的电阻R1以及电阻R2构成的放大电路将由BGR电路U2生成的VBGR电压作为基准电压而输出输出电压VCC。

然而，图4所示的恒压装置100的VREG电压被认为具有电压随着电源电压VBB的变化而变化这种相对于电源电压VBB的依赖性。因此，将VREG电压作为输入而由BGR电路U2生成的VBGR电压也受相对于电源电压VBB的依赖性所波及，结果是，输出电压VCC也相对于电源电压VBB具有依赖性。

恒压装置100作为恒压电源利用，因此不希望输出电压VCC具有相对于电源电压VBB的依赖性。

专利文献1：日本特开2007-219856号公报

发明内容

本发明鉴于上述事实，提供一种与从依赖于电源电压的电压生成基准电压的情况相比较，输出电压能够不依赖于电源电压的恒压装置。

本发明的第一方式的恒压装置具备：二极管；开关，该开关的一方的端子与接地电位连接，该开关的另一方的端子与被向源极施加电源电压的PMOS晶体管的漏极以及上述二极管的阳极端子连接；电压生成电路，生成被预先决定的大小的电压；以及差动放大器，上述二极管的阴极端子、以及上述电压生成电路的输出端子与上述差动放大器的非反相输入端子连接，向上述非反相输入端子施加的基准电压的供给路径根据上述开关的状态而变化，上述电压生成电路基于上述基准电压而使用由上述差动放大器放大的输出电压来生成上述基准电压。

根据第一方式的恒压装置，将恒压装置的输出电压反馈至电压生成电路，在电压生成电路生成基准电压。因此，与将依赖于电源电压的电压供给至电压生成电路而生成基准电压的情况相比较，基准电压相对于电源电压的依赖性减少，伴随于此，能够减少相对于由基准电压生成的输出电压的电源电压的依赖性。

本发明的第二方式的恒压装置通过NMOS晶体管的背栅极端子与漏极端子之间的pn结而构成二极管，上述NMOS晶体管形成于隔着绝缘层而存在于支承基板上的活性层。

作为分立部件被提供的二极管D1与利用了NMOS晶体管的二极管相比电力损耗较大。因此，在第二方式的恒压装置中，通过将NMOS晶体管作为二极管使用，从而与使用了分立部件的二极管的恒压装置相比较能够提高恒压装置的效率。

本发明的第三方式的恒压装置利用绝缘体包围NMOS晶体管的周围，以便分别形成于活性层的二极管与其他元件被电绝缘。