[发明专利]导热硅脂及其制备方法、芯片组件

说明书

本公开提供了一种导热硅脂，其由不包括溶剂的多种原料组分均匀混合而成，所述原料组分包括：基础硅油，1质量份至50质量份；导热填料，60质量份至98质量份；硅油交联剂，0.02质量份至1质量份。本公开还提供了一种导热硅脂的制备方法、芯片组件。

技术领域

本公开涉及导热界面材料技术领域，特别涉及一种导热硅脂及其制备方法、芯片组件。

背景技术

在电子产品(如通信产品)中，可用散热器为芯片散热，为了使芯片发出的热量顺利传递到散热器中，可在芯片与散热器的接触界面间设置由导热界面材料(如导热硅脂)形成的导热层。

随着技术的发展(如5G通信技术的发展)，芯片功耗大幅度提高，尺寸变大，热流密度增大，且芯片的封装方式也从2D(二维)发展为2.5D甚至3D(三维)，或从带lid(有封装)芯片逐渐发展到裸die(无封装)芯片。随着以上变化，芯片的warpage(翘曲)等变形越来越严重。

随着芯片热流密度和变形的增大，对其使用的导热界面材料的热性能和可靠性提出了更高的要求。

发明内容

本公开提供一种导热硅脂及其制备方法、芯片组件。

第一方面，本公开实施例提供一种导热硅脂，其由不包括溶剂的多种原料组分均匀混合而成，所述原料组分包括：

基础硅油，1质量份至50质量份；

导热填料，60质量份至98质量份；

硅油交联剂，0.02质量份至1质量份。

在一些实施例中，所述硅油交联剂包括含氢硅油。

在一些实施例中，所述含氢硅油中氢的质量百分含量在0.05％至0.3％。

在一些实施例中，所述原料组分还包括：

催化剂，0.01质量份至0.5质量份；

抑制剂，0.001质量份至0.5质量份。

在一些实施例中，所述催化剂包括氯铂酸；

所述抑制剂包括炔醇、多乙烯基硅油、马来酸酯、有机胺、重金属离子化合物中的任意一种或多种。

在一些实施例中，所述导热填料包括：

第一粒径的球型金属颗粒，其在所述导热填料中的质量百分含量在40％至60％，所述第一粒径在5μm至30μm；

第二粒径的球型金属颗粒，其在所述导热填料中的质量百分含量在20％至30％，所述第一粒径在1μm至4μm；

第三粒径的球型氧化锌颗粒，其在所述导热填料中的质量百分含量在10％至30％，所述第一粒径在0.1μm至0.5μm。

在一些实施例中，所述球型金属颗粒包括球型铝颗粒、球型银颗粒中的任意一种或多种。

在一些实施例中，所述基础硅油包括二甲基硅油、苯甲基硅油、乙烯基硅油、氨基硅油、甲基长链烷基硅油中的任意一种或多种。

在一些实施例中，所述基础硅油的粘度在30cps至2000cps。

第二方面，本公开实施例提供一种导热硅脂的制备方法，其包括：将导热硅脂的所有原料组分混合均匀，获得导热硅脂；其中，所述导热硅脂的原料组分包括：

基础硅油，1质量份至50质量份；

导热填料，60质量份至98质量份；

硅油交联剂，0.02质量份至1质量份。

在一些实施例中，所述导热填料包括：