[发明专利]三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：至少一个存储单元阵列块；

所述存储单元阵列块至少包括：层叠设置的第一地址线层、多个第一相变存储单元、第二地址线层、多个第二相变存储单元、第三地址线层、多个第三相变存储单元、第四地址线层、多个第四相变存储单元以及第五地址线层；其中，

所述第一地址线层、第二地址线层、第三地址线层、第四地址线层、第五地址线层彼此平行；所述第一地址线层包括多条均沿第一方向延伸的第一地址线；所述第二地址线层包括多条均沿第二方向延伸的第二地址线；所述第三地址线层包括多条均沿第一方向延伸的第三地址线；所述第四地址线层包括多条均沿第二方向延伸的第四地址线；所述第五地址线层包括多条均沿第一方向延伸的第五地址线；所述第一方向与所述第二方向垂直；所述第一相变存储单元、第二相变存储单元、第三相变存储单元、第四相变存储单元与所述第一地址线、第二地址线、第三地址线、第四地址线、第五地址线均垂直；所述第三地址线与所述第一地址线在第一平面上的投影部分重合；所述第四地址线与所述第二地址线在第一平面上的投影部分重合；所述第五地址线与所述第一地址线在第一平面上的投影重合；所述第一平面与层叠的方向垂直；

所述第一地址线、第三地址线、第五地址线沿第一方向的长度均与所述第二地址线、第四地址线沿第二方向的长度基本相同，且所述第一地址线、第三地址线、第五地址线的电阻均与所述第二地址线、第四地址线的电阻基本相同。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一地址线包括层叠设置的第一子地址线和第二子地址线，所述第一子地址线和所述第二子地址线的材料相同或不同；所述第三地址线包括层叠设置的第五子地址线和第六子地址线，所述第五子地址线和所述第六子地址线的材料相同或不同；所述第五地址线包括层叠设置的第九子地址线和第十子地址线，所述第九子地址线和所述第十子地址线的材料相同或不同；

和/或，

所述第二地址线包括层叠设置的第三子地址线和第四子地址线，所述第三子地址线和所述第四子地址线的材料相同或不同；所述第四地址线包括层叠设置的第七子地址线和第八子地址线，所述第七子地址线和所述第八子地址线的材料相同或不同。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：外围电路的功能器件；

所述功能器件包括与所述第一地址线连接的第一功能器件、与所述第二地址线连接的第二功能器件、与所述第三地址线连接的第三功能器件、与所述第四地址线连接的第四功能器件；

所述第五地址线与所述第一地址线连接；

所述第一功能器件设置在第一区域和第二区域上；所述第二功能器件设置在第三区域、第四区域、第五区域及第六区域上；所述第三功能器件设置在第七区域和第八区域上；所述第四功能器件设置在第九区域、第十区域、第十一区域和第十二区域上；

所述第一区域与所述第二区域在第二方向的投影存在共同的端点；所述第三区域与所述第四区域在第一方向的投影存在共同的端点，所述第四区域与所述第五区域在第一方向的投影存在共同的端点，所述第五区域与所述第六区域在第一方向的投影存在共同的端点；所述第七区域与所述第八区域在第二方向的投影存在共同的端点；所述第九区域与所述第十区域在第一方向的投影存在共同的端点，所述第十区域与所述第十一区域在第一方向的投影存在共同的端点，所述第十一区域与所述第十二区域在第一方向的投影存在共同的端点；所述第一区域、第二区域、第三区域、第四区域、第五区域、第六区域、第七区域、第八区域、第九区域、第十区域、第十一区域和第十二区域在第二方向的投影长度等于第一区域和第二区域在第二方向的投影长度，所述第一区域、第二区域、第三区域、第四区域、第五区域、第六区域、第七区域、第八区域、第九区域、第十区域、第十一区域和第十二区域在第一方向的投影长度等于第三区域、第四区域、第五区域及第六区域在第一方向的投影长度。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述多条第一地址线中各第一地址线沿所述第二方向的间距相同；所述多条第二地址线中各第二地址线沿所述第一方向的间距相同；多条第三地址线中各第三地址线沿所述第二方向的间距相同；多条第四地址线中各第四地址线沿所述第一方向的间距相同；多条第五地址线中各第五地址线沿所述第二方向的间距相同。