[发明专利]三维存储器及其制作方法

说明书

本发明实施例提供了一种三维存储器及其制作方法，三维存储器包括：至少一个存储单元阵列块；存储单元阵列块至少包括：层叠设置的多条均沿第一方向延伸的第一地址线、多个第一相变存储单元、多条均沿第二方向延伸的第二地址线、多个第二相变存储单元、多条均沿第一方向延伸的第三地址线、多个第三相变存储单元、多条均沿第二方向延伸的第四地址线、多个第四相变存储单元以及多条均沿第一方向延伸的第五地址线；第一方向与第二方向垂直；第一地址线、第三地址线、第五地址线沿第一方向的长度均与第二地址线、第四地址线沿第二方向的长度基本相同，且第一地址线、第三地址线、第五地址线的电阻均与第二地址线、第四地址线的电阻基本相同。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制作方法。

背景技术

三维交叉点存储器，如相变存储器(PCM，Phase Change Memory)是一种使用硫族化合物作为存储介质的存储技术，利用材料在不同状态下的电阻差异来保存数据。PCM具有可按位寻址、断电后数据不丢失、存储密度高、读写速度快等优势，被认为是最有前景的下一代存储器。

然而，相关技术中，三维交叉点存储器还存在各种挑战。

发明内容

为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种三维存储器。

本发明实施例提供了一种三维存储器，包括：至少一个存储单元阵列块；

所述存储单元阵列块至少包括：层叠设置的第一地址线层、多个第一相变存储单元、第二地址线层、多个第二相变存储单元、第三地址线层、多个第三相变存储单元、第四地址线层、多个第四相变存储单元以及第五地址线层；其中，

所述第一地址线层、第二地址线层、第三地址线层、第四地址线层、第五地址线层彼此平行；所述第一地址线层包括多条均沿第一方向延伸的第一地址线；所述第二地址线层包括多条均沿第二方向延伸的第二地址线；所述第三地址线层包括多条均沿第一方向延伸的第三地址线；所述第四地址线层包括多条均沿第二方向延伸的第四地址线；所述第五地址线层包括多条均沿第一方向延伸的第五地址线；所述第一方向与所述第二方向垂直；所述第一相变存储单元、第二相变存储单元、第三相变存储单元、第四相变存储单元与所述第一地址线、第二地址线、第三地址线、第四地址线、第五地址线均垂直；所述第三地址线与所述第一地址线在第一平面上的投影部分重合；所述第四地址线与所述第二地址线在第一平面上的投影部分重合；所述第五地址线与所述第一地址线在第一平面上的投影重合；所述第一平面与层叠的方向垂直；

所述第一地址线、第三地址线、第五地址线沿第一方向的长度均与所述第二地址线、第四地址线沿第二方向的长度基本相同，且所述第一地址线、第三地址线、第五地址线的电阻均与所述第二地址线、第四地址线的电阻基本相同。

上述方案中，所述第一地址线包括层叠设置的第一子地址线和第二子地址线，所述第一子地址线和所述第二子地址线的材料相同或不同；所述第三地址线包括层叠设置的第五子地址线和第六子地址线，所述第五子地址线和所述第六子地址线的材料相同或不同；所述第五地址线包括层叠设置的第九子地址线和第十子地址线，所述第九子地址线和所述第十子地址线的材料相同或不同；

和/或，

所述第二地址线包括层叠设置的第三子地址线和第四子地址线，所述第三子地址线和所述第四子地址线的材料相同或不同；所述第四地址线包括层叠设置的第七子地址线和第八子地址线，所述第七子地址线和所述第八子地址线的材料相同或不同。

上述方案中，所述三维存储器还包括：外围电路的功能器件；

所述功能器件包括与所述第一地址线连接的第一功能器件、与所述第二地址线连接的第二功能器件、与所述第三地址线连接的第三功能器件、与所述第四地址线连接的第四功能器件；

所述第五地址线与所述第一地址线连接；