[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 202110404069.0 申请日: 2021-04-15
公开(公告)号: CN113539787A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 中村胜 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/304;H01L21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于靖帅;乔婉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片的加工方法,该晶片在正面上形成有多个器件被分割预定线划分的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域,其中,

该晶片的加工方法包含如下的工序:

改质层形成工序,从晶片的背面侧将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片的与该外周剩余区域对应的内部而对晶片照射激光光线,在未达到晶片的完工厚度的位置形成环状的改质层;

保护部件配设工序,在该改质层形成工序之前或之后,在晶片的正面上配设保护部件;

改质层去除工序,将切削刀具从晶片的背面定位于与改质层对应的区域而对晶片进行切削,将改质层去除,并且使解理面到达晶片的正面;

环去除工序,以该解理面为起点而将该外周剩余区域的环去除;以及

磨削工序,对晶片的背面进行磨削直至达到晶片的完工厚度。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,

该晶片的加工方法包含如下的工序:

转移工序,在该磨削工序之后,在晶片的背面上粘贴划片带,并且利用具有收纳晶片的开口部的框架对划片带的外周进行支承,将保护部件从晶片的正面去除;以及

分割工序,对晶片的分割预定线实施加工而将晶片分割成各个器件芯片。

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