[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，激光光线照射所产生的变质物不会残留在晶片的外周，搬送时晶片不会破损。该方法包含：改质层形成工序，从晶片(2)的背面(2b)侧将对于晶片具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位于晶片的与外周剩余区域(10)对应的内部而照射激光光线，在未达到完工厚度的位置形成环状的改质层(24)；保护部件配设工序，在晶片的正面(2a)上配设保护部件(14)；改质层去除工序，将切削刀具(34)从晶片的背面定位于与改质层对应的区域而进行切削，去除改质层并使解理面(38)到达晶片的正面；环去除工序，以解理面为起点将外周剩余区域的环(40)去除；和磨削工序，对晶片的背面进行磨削直至达到完工厚度。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，在该晶片的正面上形成有多个器件被分割预定线划分的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域。

背景技术

晶片在正面上形成有IC、LSI等多个器件被分割预定线划分的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，在通过磨削装置对该晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度之后，晶片被切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，分割后的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。

当对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化时，存在如下问题：形成于晶片的外周端的倒角部如刀刃那样变得尖锐，在磨削中产生缺损，裂纹到达器件区域而使器件损伤。因此，本申请人提出了如下技术：在对晶片的背面进行磨削之前，对具有倒角部的外周剩余区域照射激光光线而将外周剩余区域去除(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2006-108532号公报

但是，激光光线的照射所产生的变质物会残留在晶片的外周，存在因变质物而导致在晶片的搬送时晶片发生破损的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，课题在于提供晶片的加工方法，激光光线的照射所产生的变质物不会残留在晶片的外周，在晶片的搬送时晶片不会破损。

本发明为了解决上述课题而提供以下的晶片的加工方法。即，本发明提供一种晶片的加工方法，该晶片在正面上形成有多个器件被分割预定线划分的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，从晶片的背面侧将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片的与该外周剩余区域对应的内部而对晶片照射激光光线，在未达到晶片的完工厚度的位置形成环状的改质层；保护部件配设工序，在该改质层形成工序之前或之后，在晶片的正面上配设保护部件；改质层去除工序，将切削刀具从晶片的背面定位于与改质层对应的区域而对晶片进行切削，将改质层去除，并且使解理面到达晶片的正面；环去除工序，以该解理面为起点而将该外周剩余区域的环去除；以及磨削工序，对晶片的背面进行磨削直至达到晶片的完工厚度。

晶片的加工方法优选包含如下的工序：转移工序，在该磨削工序之后，在晶片的背面上粘贴划片带，并且利用具有收纳晶片的开口部的框架对划片带的外周进行支承，将保护部件从晶片的正面去除；以及分割工序，对晶片的分割预定线实施加工而将晶片分割成各个器件芯片。

本发明的晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，从晶片的背面侧将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片的与该外周剩余区域对应的内部而对晶片照射激光光线，在未达到晶片的完工厚度的位置形成环状的改质层；保护部件配设工序，在该改质层形成工序之前或之后，在晶片的正面上配设保护部件；改质层去除工序，将切削刀具从晶片的背面定位于与改质层对应的区域而对晶片进行切削，将改质层去除，并且使解理面到达晶片的正面；环去除工序，以该解理面为起点而将该外周剩余区域的环去除；以及磨削工序，对晶片的背面进行磨削直至达到晶片的完工厚度，因此，晶片的外周被解理面包覆，激光光线的照射所产生的变质物不会残留在晶片的外周，在晶片的搬送时晶片不会破损。

附图说明

图1是示出实施保护部件配设工序的状态的立体图。

图2是示出使晶片保持于卡盘工作台的状态的立体图。