[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 202110404974.6 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN113539788A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,该晶片在正面上形成有多个器件被多条分割预定线划分的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域,其中,
该晶片的加工方法包含如下的工序:
改质层形成工序,从晶片的背面按照将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的与该外周剩余区域对应的内部的方式对晶片照射该激光束,呈环状形成未达到晶片的完工厚度的改质层;
保护部件配设工序,在该改质层形成工序之前或之后,在晶片的该正面上配设保护部件;
加强部形成工序,利用卡盘工作台对该保护部件侧进行保持,对晶片的该背面进行磨削,从而使解理面从呈环状形成的该改质层到达该正面并将该改质层去除,并且将晶片的与该器件区域对应的区域薄化至完工厚度,在晶片的与该外周剩余区域对应的区域形成环状的加强部;以及
背面加工工序,对晶片的该背面实施规定的加工。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,
该晶片的加工方法还包含如下的工序:
转移工序,在该背面加工工序之后,沿着在该加强部形成工序中形成的该解理面将该环状的加强部去除,将该保护部件从晶片的该正面去除,将晶片的该背面粘贴在划片带上并且利用具有收纳晶片的开口部的框架对该划片带的外周进行支承;以及
分割工序,对晶片的分割预定线实施加工而将晶片分割成各个器件芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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