[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，不在晶片的外周残留改质层或碎屑，能够设定与形成环状的加强部的区域靠近的器件区域。该方法包含：改质层形成工序，从晶片的背面按照将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的与外周剩余区域对应的内部的方式对晶片照射激光束，呈环状形成未达到晶片的完工厚度的改质层；保护部件配设工序，在晶片的正面上配设保护部件；加强部形成工序，利用卡盘工作台对保护部件侧进行保持，对晶片的背面进行磨削，使解理面从呈环状形成的改质层到达正面并去除改质层，并且将晶片的与器件区域对应的区域薄化至完工厚度，在晶片的与外周剩余区域对应的区域形成环状的加强部；和背面加工工序，对晶片的背面实施规定的加工。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，该晶片在正面上形成有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域。

背景技术

在正面上形成有由多条分割预定线划分IC、LSI等多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片通过磨削装置对背面进行磨削而形成为规定的厚度之后，被切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片而被用于移动电话、个人计算机等电子设备。

另外，本申请人提出了如下的技术：在对晶片的与器件区域对应的背面进行磨削而在与外周剩余区域对应的背面形成了环状的加强部之后，对晶片实施加工，将外周剩余区域的环状的加强部去除而将晶片分割成各个器件芯片(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2007-019461号公报

根据上述专利文献1的技术，在与外周剩余区域对应的背面形成环状的加强部，由此，与器件区域对应的背面侧被磨削从而薄化的晶片能够被稳定地支承，加工时的操作性优化。但是，为了将形成有加强部的晶片分割成各个器件芯片，需要利用切削刀具将该加强部去除。在利用切削刀具将该加强部去除时，担心位于该加强部的附近的器件发生破损，因此需要按照从形成该加强部的区域向内侧充分离开的方式设定器件区域的外缘，因此，存在设定器件区域的区域受到限制而生产率差的问题。

另外，在通过激光加工将形成于晶片的外周的环状的加强部去除的情况下，产生如下的问题：改质层或碎屑残留在晶片的外周，晶片从该改质层或碎屑所残留的部位发生破损。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，不在晶片的外周残留改质层或碎屑，能够设定与形成环状的加强部的区域靠近的器件区域。

根据本发明的一个方式，提供晶片的加工方法，该晶片在正面上形成有多个器件被多条分割预定线划分的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，从晶片的背面按照将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的与该外周剩余区域对应的内部的方式对晶片照射该激光束，呈环状形成未达到晶片的完工厚度的改质层；保护部件配设工序，在该改质层形成工序之前或之后，在晶片的该正面上配设保护部件；加强部形成工序，利用卡盘工作台对该保护部件侧进行保持，对晶片的该背面进行磨削，从而使解理面从呈环状形成的该改质层到达该正面并将该改质层去除，并且将晶片的与该器件区域对应的区域薄化至完工厚度，在晶片的与该外周剩余区域对应的区域形成环状的加强部；以及背面加工工序，对晶片的该背面实施规定的加工。

优选晶片的加工方法还包含如下的工序：转移工序，在该背面加工工序之后，沿着在该加强部形成工序中形成的该解理面将该环状的加强部去除，将该保护部件从晶片的该正面去除，将晶片的该背面粘贴在划片带上并且利用具有收纳晶片的开口部的框架对该划片带的外周进行支承；以及分割工序，对晶片的分割预定线实施加工而将晶片分割成各个器件芯片。

在本发明的一个方面的晶片的加工方法中，由于沿着解理面对晶片进行分割并且去除改质层，因此不会在晶片上残留改质层和碎屑。由此，消除了晶片从残留有改质层或碎屑的部位发生破损的问题。另外，由于晶片沿着解理面被分割，因此能够将器件区域设定至形成有环状的加强部的区域的边际。因此，生产率提高。

附图说明