[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括：在硅片表面依次进行制绒、非晶硅薄膜沉积、导电层沉积和金属化得到整片电池，对整片电池进行切片得到分片电池，对分片电池进行光注入得到所述的太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的太阳能电池为异质结太阳能电池；

优选地，所述的硅片为单晶N型；

优选地，所述的硅片的电阻率为1～7Ω·cm；

优选地，所述的硅片厚度为100～160μm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的硅片经制绒后，所述的硅片表面形成金字塔绒面，得到织构化硅片；

优选地，所述的织构化硅片的表面反射率为10～15％。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述的非晶硅薄膜包括本征非晶硅层和掺杂非晶硅层，所述的非晶硅薄膜沉积过程包括：在织构化硅片的两侧表面分别沉积一层本征非晶硅层，在两侧的本征非晶硅层的表面分别沉积一层掺杂非晶硅层；

优选地，所述的本征非晶硅层的沉积方式为等离子体化学气相沉积；

优选地，单侧的本征非晶硅层的厚度为5～25nm；

优选地，所述的掺杂非晶硅层的沉积方式为等离子体化学气相沉积；

优选地，单侧的掺杂非晶硅层的厚度为5～40nm；

优选地，一侧的本征非晶硅层的表面沉积N型掺杂非晶硅膜层，另一侧的本征非晶硅层的表面沉积P型掺杂非晶硅膜层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述的导电层沉积过程包括：在两侧的掺杂非晶硅层的表面分别沉积一层导电层；

优选地，所述的导电层的沉积方式为磁控溅射或反应等离子体沉积；

优选地，所述的导电层的材料包括ITO、IWO、ITiO或AZO中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述的导电层的厚度为50～110nm；

优选地，所述的导电层的方阻为30～90Ω/□。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述的金属化过程包括：在两侧的导电薄膜层的表面分别覆盖金属电极，并对金属电极进行固化；

优选地，所述的覆盖方式为丝网印刷、激光转印或电镀中的任意一种；

优选地，所述的金属电极分为主栅和副栅，所述的主栅和副栅相互垂直；

优选地，所述的主栅的根数为0～12根，所述的主栅相互平行；

优选地，所述的主栅的宽度为0～100μm；

优选地，所述的副栅的根数为90～180根，所述的副栅相互平行；

优选地，所述的副栅的宽度为15～50μm；

优选地，所述的固化温度为175～210℃；

优选地，所述的固化时间为5～40min。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，采用激光切割对整片电池进行切片；

优选地，切片完成后，对分片电池的切割面进行降温冷却；

优选地，所述的降温处理采用液氮喷淋；

优选地，降温冷却结束后，对分片电池的切割面进行表面钝化处理；

优选地，所述的表面钝化处理采用臭氧处理或浓硝酸处理。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述的臭氧处理过程包括：将分片电池放入臭氧气氛中，在10～200℃下进行表面钝化，分片电池的切割面形成钝化层；

优选地，所述的臭氧处理的时间为1～10s；

优选地，所述的浓硝酸处理过程包括：将分片电池的切割面浸入浓硝酸中10～20min，取出后，分片电池的切割面形成钝化层；

优选地，所述的浓硝酸的浓度为40～50wt％；

优选地，所述的浓硝酸的温度为30～40℃。