[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202110405003.3 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN113130712A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 王尧;沈慧;陈达明;徐建美;张学玲 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0747 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法,所述的制备方法包括:在硅片表面依次进行制绒、非晶硅薄膜沉积、导电层沉积和金属化得到整片电池,对整片电池进行切片得到分片电池,对分片电池进行光注入得到所述的太阳能电池。与传统的制备工序相比,本发明调整了光注入和切片的顺序,将切片调至光注入之前进行,切片后的电池再经过光注入,氢钝化过程可再次提升效率。
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,涉及一种太阳能电池及其制备方法,尤其涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。
背景技术
光伏电池行业本质上是一个技术密集型的产业,技术创新是光伏最终成为主导能源,成为推动能源转型的中坚力量的依托。“异质结”电池技术作为近年来引起行业高度关注的高效技术路线,因其具备更高的光电转换效率和双面性,工艺流程简单、提效潜力高、降本空间大,为光伏产业带来了强劲的发展动力。
相比目前主流的单晶PERC高效电池技术23.5%转换率的量产瓶颈,异质结电池有极大的转换效率优势,异质结电池当前量产平均效率普遍在24%以上,产线最高效率甚至达到24.5%,而未来有望达到25%。
异质结电池包括单晶硅基底、分别设置在单晶硅基底的相对两端面上的本征非晶硅层、分别设置在两面的本征非晶硅层上的p型非晶硅层和n型非晶硅层、分别设置在p型非晶硅层和n型非晶硅层上的透明导电层以及分别设置在两面的透明导电层上的银栅电极。
CN111293195A公开了一种异质结电池制备方法,异质结电池包括分别设置于所述异质结电池正面和/或背面的导电薄膜层,所述制备方法包括在所述异质结电池正面和/或背面的设定区域内通过喷墨工艺方法去除所述设定区域内的导电薄膜层。
CN110649128A公开了一种高效异质结电池片的制备方法,在制备电池片的硅片正面先进行激光预切割,形成切割槽,然后依次进行以下步骤:制绒,在正面和背面形成特定的非晶硅,在正面和背面镀TCO膜,在正面和背面印刷电极,固化,测试分选,得到异质结电池片。
CN109075218A公开了一种太阳能异质结电池的制备方法,所述方法包括:在硅片的第一表面上依次沉积第一本征硅钝化层、第一硅掺杂层,在所述硅片的第二表面上依次沉积第二本征硅钝化层、第二硅掺杂层;在所述第一硅掺杂层上沉积第一掺水透明导电层;在所述第二硅掺杂层上沉积第二掺水透明导电层;分别在所述第一掺水透明导电层和所述第二掺水透明导电层上形成第一电极和第二电极。
现阶段主要使用的技术为将制备好的异质结电池片采用激光切割成半片或更小的电池片,但是现在存在的问题是,切割的同时对光伏电池引入了边缘复合导致的切割损失,切割后的转化效率降档严重。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其制备方法,与传统的制备工序相比,本发明调整了光注入和切片的顺序,将切片调至光注入之前进行,切片后的电池再经过光注入,氢钝化过程可再次提升效率。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,本发明提供了一种太阳能电池的制备方法,所述的制备方法包括:在硅片表面依次进行制绒、非晶硅薄膜沉积、导电层沉积和金属化得到整片电池,对整片电池进行切片得到分片电池,对分片电池进行光注入得到所述的太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天合光能股份有限公司,未经天合光能股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110405003.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的