[发明专利]曝光设备和制造显示装置的方法在审
申请号: | 202110405189.2 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN113534613A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 任星淳;金钟奎;朴庭玄;宋升勇;李德重;李从元 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司;浦项工科大学校产学协力团 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 设备 制造 显示装置 方法 | ||
1.一种曝光设备,其中,所述曝光设备包括:
光源单元,所述光源单元提供用于曝光的光并且包括以矩阵形式布置的微发光二极管;
基底传送单元,所述基底传送单元传送目标基底;以及
控制单元,所述控制单元控制所述光源单元和所述基底传送单元中的至少一个,
其中,所述控制单元将坐标或者地址分配给每个微发光二极管,并且基于所述坐标或者所述地址根据预设图案单独控制每个微发光二极管的光量。
2.根据权利要求1所述的曝光设备,其中,所述光源单元包括:
光源单元基底,所述光源单元基底支撑所述微发光二极管;以及
光学系统,所述光学系统设置在所述光源单元基底下方。
3.根据权利要求2所述的曝光设备,其中,每个微发光二极管包括:
第一半导体层,所述第一半导体层设置在所述光源单元基底上;
有源层,所述有源层设置在所述第一半导体层上;
第二半导体层,所述第二半导体层设置在所述有源层上;以及
反射器,所述反射器具有敞开的下侧并且围绕所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层。
4.根据权利要求2所述的曝光设备,其中,所述光源单元还包括:遮光构件,所述遮光构件沿着所述光源单元基底上的所述微发光二极管之间的边界设置。
5.根据权利要求2所述的曝光设备,其中,所述光学系统包括微透镜。
6.根据权利要求1所述的曝光设备,其中,所述控制单元单独控制每个微发光二极管的接通或者断开。
7.根据权利要求1所述的曝光设备,其中,所述控制单元单独控制每个微发光二极管的驱动时间。
8.根据权利要求1所述的曝光设备,其中,所述控制单元控制所述光源单元以输出第一预设图案持续第一预设时间,并且当确定所述第一预设时间已经消逝时,控制所述光源单元以输出与所述第一预设图案不同的第二预设图案。
9.一种曝光设备,其中,所述曝光设备包括:
光源单元,所述光源单元提供用于曝光的光并且包括以矩阵形式布置的单元发光单位;
基底传送单元,所述基底传送单元传送目标基底;以及
控制单元,所述控制单元控制所述光源单元和所述基底传送单元中的至少一个,
其中,所述控制单元将坐标或者地址分配给每个单元发光单位,并且基于所述坐标或者所述地址根据预设图案单独控制每个单元发光单位的光量。
10.一种制造显示装置的方法,其中,所述方法包括:
在基体基底上堆叠至少一个材料层;
在所述至少一个材料层上涂覆光敏材料;
通过单独控制每个微发光二极管的光量输出预设图案;
将所述光敏材料曝光;
去除所述光敏材料的部分;以及
在所述至少一个材料层中蚀刻第一图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司;浦项工科大学校产学协力团,未经三星显示有限公司;浦项工科大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110405189.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。