[发明专利]一种多晶硅高沸物除铝用络合剂及其应用方法

权利要求书

1.一种多晶硅高沸物除铝用络合剂，其特征在于：该络合剂的分子结构如下：

其中R1为碳原子含量1-3的烷基或氢；R2为碳原子数1-3的烷基；R3为碳原子数0-3的烷基;n介于1-10之间，m介于2-10之间。

2.根据权利要求1所述的多晶硅高沸物除铝用络合剂，其特征在于：络合剂至少为下列化合物之一：

化合物1

化合物2

化合物3

化合物4

化合物5。

3.采用如权利要求1所述的多晶硅高沸物除铝用络合剂的多晶硅薄膜的冷氢化CVD生产工艺，其特征在于：通入经过精馏提纯的SiHCl3和SiCl4的混合气体，其中SiHCl3：SiCl4的流量（sccm）比为3-5.6：1，同时通入高纯度的氢气，氢气与SiHCl3+SiCl4的流量（sccm）比为5-7：1，反应压力控制在300mbar，反应温度控制在950摄氏度。

4.根据权利要求3所述的生产工艺，其特征在于：多晶硅薄膜的冷氢化CVD工艺后进行退火。

5.根据权利要求4所述的生产工艺，其特征在于：退火工艺为900摄氏度，2小时。

6.根据权利要求3述的生产工艺，其特征在于：该工艺还包括对尾气中含硅硅键的高阶的高沸点氯硅烷进行裂解。

7.根据权利要求6所述的生产工艺，其特征在于：裂解反应中使用了Si、HCl、催化剂、络合剂。

8.根据权利要求7所述的生产工艺，其特征在于：裂解反应温度为900摄氏度。

9.如权利要求1所述的多晶硅高沸物除铝用络合剂的用途，用于多晶硅太阳能电池生产中。

10.一种多晶硅太阳能电池生产工艺，其使用了权利要求1中所述的多晶硅高沸物除铝用络合剂。