[发明专利]一种多晶硅高沸物除铝用络合剂及其应用方法

说明书

本发明涉及一种多晶硅高沸物除铝用络合剂，该络合剂的分子结构如下：其中R1为碳原子含量1‑3的烷基或氢；R2为碳原子数1‑3的烷基；R3为碳原子数0‑3的烷基。n介于1‑10之间，m介于2‑10之间。

技术领域

本发明涉及一种多晶硅高沸物除铝用络合剂及其应用方法。

背景技术

当前，多晶硅材料是最主要的光伏材料，其市场占有率在90％左右，而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。目前主流的多晶硅制备工艺是冷氢化工艺以及还原工艺。通过上述工艺能够获得较好的多晶硅产量，并获得纯度较高的多晶硅材料。但是，冷氢化工艺以及还原工艺均产生含硅硅键的高沸点氯硅烷，会对对环境产生不利的影响。

特别是，冷氢化过程产生的高沸物混杂在冷氢化渣浆中，含有大量的氯化铝杂质，在后续分离高沸的过程中氯化铝极容易大量进入到产品高沸中。氯化铝的存在将导致催化剂的快速失活。因此有必要开发一种用于一种多晶硅冷氢化生产工艺的高沸物除铝工艺，确保催化剂的活性。

因此，需要提供一种多晶硅太阳能电池生产工艺，其能够有效的脱除尾气中的氧化铝，从而保证催化剂在尾气中的活性，提高对太阳能电池尾气处理的效果。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：在多晶硅的冷氢化生产工艺中，冷氢化过程产生的高沸物混杂在冷氢化副产物中，含有大量的氯化铝杂质，在后续分离高沸的过程中氯化铝极容易大量进入到产品高沸中。氯化铝的存在将导致催化剂的快速失活。

本发明解决其技术问题所采取的技术方案是：

一种多晶硅高沸物除铝用络合剂，该络合剂的分子结构如下：

其中R1为碳原子含量1-3的烷基或氢；R2为碳原子数1-3的烷基；R3为碳原子数0-3的烷基。n介于1-10之间，m介于2-10之间。

进一步的，络合剂至少为下列化合物之一：

采用如权利要求1所述的多晶硅高沸物除铝用络合剂的生产工艺，多晶硅薄膜的冷氢化CVD工艺为：通入经过精馏提纯的SiHCl3和SiCl4的混合气体，其中SiHCl3：SiCl4的流量(sccm)比为3-5.6：1，同时通入高纯度的氢气，氢气与(SiHCl3+SiCl4)的流量(sccm)比为5-7：1，反应压力控制在300mbar，反应温度控制在950摄氏度。

进一步的，多晶硅薄膜的冷氢化CVD工艺后进行退火。

进一步的，退火工艺为900摄氏度，2小时。

进一步的，该工艺还包括对尾气中含硅硅键的高阶的高沸点氯硅烷进行裂解。

进一步的，裂解反应中使用了Si、HCl、催化剂、络合剂。

进一步的，裂解反应温度为900摄氏度。

多晶硅高沸物除铝用络合剂的用途，用于多晶硅太阳能电池生产中。

一种多晶硅太阳能电池生产工艺，其使用了所述的多晶硅高沸物除铝用络合剂。

通过采用上述络合剂，不仅避免了多余的铝离子脱除设备，避免了其他的杂质引入，还提高了铝离子的脱除率，提高了裂解的效率。

通过在裂化反应中采用了特定的铝络合剂提高了去除铝的效果，提高了催化剂的活性提高了裂化反应的充分性，此外通过合理的设置裂化反应设备，提高了铝络合的效果，降低了铝对于催化剂的影响，使得多晶硅太阳能电池的生产工艺的副产物提高资源化程度，从而进一步降低了多晶硅太阳电池的生产成本。

附图说明

图1为本申请提供的多晶硅太阳能电池生产工艺的流程图。