[发明专利]减少存储器件中编程干扰的方法及利用该方法的存储器件

权利要求书

1.一种操作存储器件的方法，所述存储器件包括顶部选择单元、顶部虚设单元和存储单元串，所述顶部选择单元具有耦合到位线的第一端子、耦合到顶部选择线的控制端子，所述顶部虚设单元具有耦合到所述顶部选择单元的第二端子的第一端子、耦合到顶部虚设字线的控制端子，所述存储单元串具有耦合到所述顶部虚设单元的第二端子的第一端子以及耦合到相应字线的控制端子，所述方法包括：

在编程操作之前，向所述字线施加第一电压，向所述顶部虚设字线、所述顶部选择线和与所述存储单元串中的未选择的存储单元串连接的所述位线施加预脉冲电压，然后继续向所述字线施加所述第一电压，而向所述顶部虚设字线、所述顶部选择线和与所述未选择的存储单元串连接的所述位线依次施加所述第一电压，其中，所述第一电压小于所述预脉冲电压。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述编程操作中，向所述字线中的选择的字线施加编程脉冲，向所述顶部虚设字线施加顶部虚设单元电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述预脉冲电压小于所述顶部虚设单元电压。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述编程操作中，向所述字线中的未选择的字线施加通过电压。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述通过电压小于所述编程电压。

6.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述编程操作中，向所述位线和所述顶部选择线施加所述第一电压以不选择所述存储单元串。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电压是地电压。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器件是3维NAND闪存器件。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述存储器件还包括底部虚设字线、底部选择线、被配置为接收地电压的源极线、底部虚设单元和底部选择单元，所述底部虚设单元具有耦合到所述存储单元串的所述第二端子的第一端子、耦合到所述底部虚设字线的控制端子、以及第二端子，并且所述底部选择单元具有耦合到所述底部虚设单元的所述第二端子的第一端子、耦合到所述底部选择线的控制端子、以及耦合到所述源极线的第二端子；并且

所述方法还包括：向所述字线施加所述第一电压，向所述底部虚设字线、所述底部选择线和所述源极线施加所述预脉冲电压；以及然后继续向所述字线施加所述第一电压，而向所述底部虚设字线、所述底部选择线和所述源极线依次施加所述第一电压。

10.一种存储器件，包括：

位线；

顶部选择线；

顶部虚设字线；

字线；

顶部选择单元，包括：第一端子，耦合到所述位线；控制端子，耦合到所述顶部选择线；以及第二端子；

顶部虚设单元，包括：第一端子，耦合到所述顶部选择单元的所述第二端子；控制端子，耦合到所述顶部虚设字线；以及第二端子；

存储单元串，包括：第一端子，耦合到所述顶部虚设单元的所述第二端子；控制端子，耦合到相应字线；以及第二端子；以及

控制器，耦合到所述位线、所述顶部选择线、所述顶部虚设字线和所述字线，所述控制器被配置为：在编程操作之前，向所述字线施加第一电压，向所述顶部虚设字线、所述顶部选择线和与所述存储单元串中的未选择的存储单元串连接的所述位线施加预脉冲电压，然后继续向所述字线施加所述第一电压，而向所述顶部虚设字线、所述顶部选择线和与所述未选择的存储单元串连接的所述位线依次施加所述第一电压，其中，所述第一电压小于所述预脉冲电压。

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述控制器被配置为：在所述编程操作中，向所述字线中的选择的字线施加编程脉冲，向所述顶部虚设字线施加顶部虚设单元电压。