[发明专利]一种高压输入的浪涌电流抑制电路

权利要求书

1.一种高压输入的浪涌电流抑制电路，其特征在于，包括：N型MOS管VT1，电容C1和电阻R2；

N型MOS管VT1的漏极连接输入电源，N型MOS管VT1的源极连接输出端，电容C1的一端连接N型MOS管VT1的源极，电容C1的另一端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地；

还包括负反馈电路，负反馈电路一端连接电阻R2，另一端连接N型MOS管VT1的栅极，用于控制N型MOS管VT1的导通深度，从而对浪涌电流进行精确控制。

2.如权利要求1所述的高压输入的浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述负反馈电路包括：采样放大电路、比较电路和光耦电路；

采样放大电路，用于对电阻R2两端的电压进行采样并放大得到电压V1；

比较电路，用于将电压V1与参考电压V2进行比较；

光耦电路，根据比较电路的输出信号控制N型MOS管VT1的导通深度，从而对浪涌电流进行精确控制。

3.如权利要求2所述的高压输入的浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述采样放大电路包括：电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和运放U1A，电阻R3的一端、电阻R4的一端和电阻R5的一端均连接运放U1A的正相输入端，电阻R3的另一端接地，电阻R4的另一端和运放U1A均连接电源VCC，电阻R5的另一端连接电阻R2，电阻R6的一端连接运放U1A的反相输入端，电阻R6的另一端接地，电阻R7连接在运放U1A的输出端和反相输入端之间，运放U1A的输出端连接比较电路。

4.如权利要求3所述的高压输入的浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述比较电路包括：比较器U1B，比较器U1B的反相输入端连接电压V1，且通过电阻R8连接运放U1A的输出端，比较器U1B的正相输入端连接参考电压V2，比较器U1B的反相输入端与输出端之间依次连接有电阻R12和电容C2，比较器U1B的输出端通过电阻R19连接光耦电路的输入端。

5.如权利要求4所述的高压输入的浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述光耦电路包括：光耦U2、电阻R20、电阻R21和二极管D1，光耦U2连接电源VCC，电阻R19连接光耦U2的原边，光耦U2的副边与电阻R21并联，电阻R21一端连接N型MOS管VT1的源极，电阻R21另一端连接电阻R20的一端，电阻R20的另一端连接二极管D1的阴极，二极管D1的阳极通过电阻R1连接N型MOS管VT1的栅极。

6.如权利要求5所述的高压输入的浪涌电流抑制电路，其特征在于，还包括电源切换电路；

所述电源切换电路包括：电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、N型MOS管VT2和N型MOS管VT3，电阻R13的一端连接控制信号KZ，电阻R13的另一端连接N型MOS管VT2的栅极，电阻R14连接在N型MOS管VT2的栅极和源极之间，N型MOS管VT2的源极接地，电阻R15的一端连接N型MOS管VT2的漏极，电阻R15的另一端连接电阻R16的一端同时连接电源VCC，电阻R16的另一端输出参考电压V2，电阻R18连接在N型MOS管VT2的源极和漏极之间，电阻R18连接在N型MOS管VT3的栅极和源极之间，N型MOS管VT3的源极接地，N型MOS管VT3的源极通过电容C3连接光耦U2的原边，N型MOS管VT3的漏极通过电阻R17连接电阻R16的另一端同时连接运放U1B的正相输入端。