[发明专利]一种高压输入的浪涌电流抑制电路

说明书

本发明涉及浪涌抑制技术领域，公开了一种高压输入的浪涌电流抑制电路，包括：N型MOS管VT1，电容C1和电阻R2；N型MOS管VT1的漏极连接输入电源，N型MOS管VT1的源极连接输出端，电容C1的一端连接N型MOS管VT1的源极，电容C1的另一端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地；还包括负反馈电路，负反馈电路一端连接电阻R2，另一端连接N型MOS管VT1的栅极，用于控制N型MOS管VT1的导通深度，从而对浪涌电流进行精确控制，这种高压输入的浪涌电流抑制电路，对浪涌电流进行精确控制，解决了输入电压范围宽、工作温度范围宽而导致浪涌电流一致性差的问题。

技术领域

本发明涉及浪涌抑制技术领域，特别涉及一种高压输入的浪涌电流抑制电路。

背景技术

现有的浪涌电流抑制电路，为功率电阻或者热敏电阻。上电时通过功率电阻或热敏电阻给输入电容充电，待电容电量到一定电压值或者到上电延时时间，开关管开通，使功率电阻或热敏电阻两侧短路。起到上电时浪涌电流抑制作用。

现有的浪涌电流抑制电路，输入电压在宽范围变化时，尤其是高压输入，浪涌电流大小随着电压的升高而升高，在宽温度范围工作时，浪涌电流抑制一致性差，不能精确的控制浪涌电流。导致该问题的原因是功率电阻和热敏电阻的特性所致。

发明内容

本发明提供一种高压输入的浪涌电流抑制电路，通过负反馈电路控制主回路MOS管的导通深度来抑制浪涌电流，从而精确的控制浪涌电流。

本发明提供了一种高压输入的浪涌电流抑制电路，包括：N型MOS管VT1，电容C1和电阻R2；

N型MOS管VT1的漏极连接输入电源，N型MOS管VT1的源极连接输出端，电容C1的一端连接N型MOS管VT1的源极，电容C1的另一端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地；

还包括负反馈电路，负反馈电路一端连接电阻R2，另一端连接N型MOS管VT1的栅极，用于控制N型MOS管VT1的导通深度，从而对浪涌电流进行精确控制。

所述负反馈电路包括：采样放大电路、比较电路和光耦电路；

采样放大电路，用于对电阻R2两端的电压进行采样并放大得到电压V1；

比较电路，用于将电压V1与参考电压V2进行比较；

光耦电路，根据比较电路的输出信号控制N型MOS管VT1的导通深度，从而对浪涌电流进行精确控制。

所述采样放大电路包括：电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和运放U1A，电阻R3的一端、电阻R4的一端和电阻R5的一端均连接运放U1A的正相输入端，电阻R3的另一端接地，电阻R4的另一端和运放U1A均连接电源VCC，电阻R5的另一端连接电阻R2，电阻R6的一端连接运放U1A的反相输入端，电阻R6的另一端接地，电阻R7连接在运放U1A的输出端和反相输入端之间，运放U1A的输出端连接比较电路。

所述比较电路包括：比较器U1B，比较器U1B的反相输入端连接电压V1，且通过电阻R8连接运放U1A的输出端，比较器U1B的正相输入端连接参考电压V2，比较器U1B的反相输入端与输出端之间依次连接有电阻R12和电容C2，比较器U1B的输出端通过电阻R19连接光耦电路的输入端。

所述光耦电路包括：光耦U2、电阻R20、电阻R21和二极管D1，光耦U2连接电源VCC，电阻R19连接光耦U2的原边，光耦U2的副边与电阻R21并联，电阻R21一端连接N型MOS管VT1的源极，电阻R21另一端连接电阻R20的一端，电阻R20的另一端连接二极管D1的阴极，二极管D1的阳极通过电阻R1连接N型MOS管VT1的栅极。