[发明专利]光刻方法在审

专利信息
申请号: 202110410014.0 申请日: 2021-04-16
公开(公告)号: CN113204180A 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 姚振海;吴长明 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: G03F7/32 分类号: G03F7/32;G03F7/16;H01L21/027
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 光刻 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻方法,其特征在于,包括:

在晶圆上涂布光阻;

在所述光阻上涂布水溶性涂层,所述水溶性涂层包括水溶性材料,所述水溶性材料是能够溶解于显影液的材料;

进行曝光;

进行烘烤,在所述烘烤过程中产生的杂质掉落于所述水溶性涂层上;

进行显影,在所述显影过程中,通过溶解所述水溶性涂层将所述杂质去除。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述水溶性材料包括水溶性物质。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述杂质包括在所述烘烤过程中凝结在腔室的盖板上的有机溶剂。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述盖板上具有排气功能。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法,其特征在于,所述在晶圆上涂布光阻,包括:

通过旋涂的方式在所述晶圆上涂布光阻。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述进行烘烤,包括:

将所述晶圆放置于加热板上,通过所述加热板对所述晶圆进行加热烘烤。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述进行显影,包括:

在所述晶圆的表面显影液,通过所述显影液溶解被曝光的正性光阻或未曝光的负性光阻,以及所述水溶性涂层;

对所述晶圆进行清洗,去除残留的显影液和/或反应物。

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