[发明专利]光刻方法在审
申请号: | 202110410014.0 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN113204180A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 姚振海;吴长明 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | G03F7/32 | 分类号: | G03F7/32;G03F7/16;H01L21/027 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 方法 | ||
1.一种光刻方法,其特征在于,包括:
在晶圆上涂布光阻;
在所述光阻上涂布水溶性涂层,所述水溶性涂层包括水溶性材料,所述水溶性材料是能够溶解于显影液的材料;
进行曝光;
进行烘烤,在所述烘烤过程中产生的杂质掉落于所述水溶性涂层上;
进行显影,在所述显影过程中,通过溶解所述水溶性涂层将所述杂质去除。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述水溶性材料包括水溶性物质。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述杂质包括在所述烘烤过程中凝结在腔室的盖板上的有机溶剂。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述盖板上具有排气功能。
5.根据权利要求1至4任一所述的方法,其特征在于,所述在晶圆上涂布光阻,包括:
通过旋涂的方式在所述晶圆上涂布光阻。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述进行烘烤,包括:
将所述晶圆放置于加热板上,通过所述加热板对所述晶圆进行加热烘烤。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述进行显影,包括:
在所述晶圆的表面显影液,通过所述显影液溶解被曝光的正性光阻或未曝光的负性光阻,以及所述水溶性涂层;
对所述晶圆进行清洗,去除残留的显影液和/或反应物。
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