[发明专利]光刻方法

说明书

本申请公开了一种光刻方法，包括：在晶圆上涂布光阻；在光阻上涂布水溶性涂层，水溶性涂层包括水溶性材料，水溶性材料是能够溶解于显影液的材料；进行曝光；进行烘烤，在烘烤过程中产生的杂质掉落于所述水溶性涂层上；进行显影，在显影过程中，通过溶解水溶性涂层将所述杂质去除。本申请通过在光刻工序中，在光阻上涂布能够溶解于显影液水溶性涂层，从而在后续的显影过程中，通过显影液溶解水溶性涂层，从而将杂质从晶圆上去除，解决了相关技术中通过改进设备增加排气量去除杂质所导致的产品质量风险。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻方法。

背景技术

在半导体制造业的光刻工序中，在曝光后烘烤的过程中，在反应腔室的盖板上会产生杂质凝结，凝结的杂质会有一定地几率掉落在晶圆的图形区域，对半导体产品的质量造成影响。

相关技术中，通过在烘烤过程中增大排气，将杂质抽走以解决上述问题。然而，由于需要增加较高的排气量才能达到较好的去除杂质效果，因此需要对相应的设备的参数或硬件进行调整，从而影响膜厚和均匀性，增加了产品的质量风险。

发明内容

本申请提供了一种光刻方法，可以解决相关技术中提供的通过增加排气去除曝光后烘烤过程中产生的杂质所导致的产品质量风险的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种光刻方法，其特征在于，包括：

在晶圆上涂布光阻；

在所述光阻上涂布水溶性涂层，所述水溶性涂层包括水溶性材料，所述水溶性材料是能够溶解于显影液的材料；

进行曝光；

进行烘烤，在所述烘烤过程中产生的杂质掉落于所述水溶性涂层上；

进行显影，在所述显影过程中，通过溶解所述水溶性涂层将所述杂质去除。

可选的，所述水溶性材料包括水溶性物质。

可选的，所述杂质包括在所述烘烤过程中凝结在腔室的盖板上的有机溶剂。

可选的，所述盖板上具有排气功能。

可选的，所述在晶圆上涂布光阻，包括：

通过旋涂的方式在所述晶圆上涂布光阻。

可选的，所述进行烘烤，包括：

将所述晶圆放置于加热板上，通过所述加热板对所述晶圆进行加热烘烤。

可选的，所述进行显影，包括：

在所述晶圆的表面显影液，通过所述显影液溶解被曝光的正性光阻或未曝光的负性光阻，以及所述水溶性涂层；

对所述晶圆进行清洗，去除残留的显影液和/或反应物。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在光刻工序中，在光阻上涂布能够溶解于显影液水溶性涂层，从而在后续的显影过程中，通过显影液溶解水溶性涂层，从而将杂质从晶圆上去除，解决了相关技术中通过改进设备增加排气量去除杂质所导致的产品质量风险。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一个示例性实施例提供的光刻方法的流程图；

图2至图5是本申请一个示例性实施例提供的光刻方法的示意图。

具体实施方式