[发明专利]光刻胶涂布方法

说明书

本申请公开了一种光刻胶涂布方法，涉及半导体制造领域。该光刻胶涂布方法包括在晶圆承载台上放置晶圆；向所述晶圆表面喷涂光刻胶；驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆转动，转速大于2000转/分钟，旋转时间小于2秒；驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆在预定时间内按预定转速转动；解决了目前当晶圆表面存在高台阶结构时，光刻胶旋涂后影响CD均匀性的问题；达到了提高涂布光刻胶的随行性，令晶圆表面的光刻胶膜厚更加均匀，改善图形CD均匀性的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种光刻胶涂布方法。

背景技术

光刻工艺是半导体制造领域中最关键的工艺之一。光刻工艺将预先设计的图形转移到衬底表面的光刻胶中，光刻工艺的主要步骤包括涂胶、曝光、显影，其中，涂胶工艺的目的是在衬底表面形成均匀的光刻胶膜层。

光刻工艺中的CD(Critical dimension，关键尺寸)受光刻胶厚度的影响较大。对于部分光刻层次，由于前一层结构中存在高台阶，容易造成不同位置的光刻胶厚度差异较大，进而导致CD的均匀性较差。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种光刻胶涂布方法。该技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种光刻胶涂布方法，该方法包括：

在晶圆承载台上放置晶圆；

向晶圆表面喷涂光刻胶；

驱动晶圆承载台带动晶圆转动，转速大于2000转/分钟，旋转时间小于2秒；

驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速转动。

可选的，驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速转动，包括：

驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速进行两次转动。

可选的，当晶圆的尺寸为12寸时，预定转速为不大于2000转/分钟的转速。

可选的，当晶圆的尺寸为8寸时，预定转速为不大于3500转/分钟的转速。

可选的，当晶圆的尺寸为6寸时，预定转速为不大于4500转/分钟的转速。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在晶圆承载台上放置晶圆，向晶圆表面喷涂光刻胶，驱动晶圆承载台带动晶圆进行短时间地高速转动，再驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速转动，完成晶圆表面光刻胶的涂布；解决了目前当晶圆表面存在高台阶结构时，光刻胶旋涂后影响CD均匀性的问题；达到了提高涂布光刻胶的随行性，令晶圆表面的光刻胶膜厚更加均匀，改善图形CD均匀性的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的光刻胶涂布方法的流程图；

图2是本申请实施例提供的一种晶圆涂布光刻胶后的局部示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。