[发明专利]显示装置

权利要求书

1.显示装置，包括：

第一半导体层，布置在衬底上并且包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；

第一应变器，布置在所述衬底和所述第一半导体层之间，并且在平面图中与所述第一源极区重叠；

第二应变器，布置在所述衬底和所述第一半导体层之间，并且在所述平面图中与所述第一漏极区重叠，所述第二应变器与所述第一应变器间隔开；

栅极绝缘层，布置在所述第一半导体层上；以及

第一栅电极，布置在所述栅极绝缘层上并且在所述平面图中与所述第一半导体层重叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：缓冲层，布置在所述衬底和所述第一应变器之间，并且限定第一凹槽和第二凹槽，

其中，所述第一应变器的一部分被掩埋在所述第一凹槽中，以及

所述第二应变器的一部分被掩埋在所述第二凹槽中。

3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

缓冲层，布置在所述衬底和所述第一应变器之间，并且限定第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和第二通孔二者暴露所述衬底的一部分，

其中，所述第一应变器的一部分被掩埋在所述第一通孔中，以及

所述第二应变器的一部分被掩埋在所述第二通孔中。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在厚度方向上从所述衬底的底表面到所述第一沟道区的顶表面的距离小于从所述衬底的所述底表面到所述第一源极区的顶表面的距离。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一应变器中的材料的颗粒之间的距离和所述第二应变器中的材料的颗粒之间的距离各自大于所述第一半导体层中的材料的颗粒之间的距离。

6.显示装置，包括：

第一半导体层，布置在衬底上并且包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；

第三应变器，布置在所述衬底和所述第一半导体层之间，并且在平面图中与所述第一半导体层重叠；

第一栅极绝缘层，布置在所述第一半导体层上；以及

第一栅电极，布置在所述第一栅极绝缘层上，并且在所述平面图中与所述第一半导体层重叠；

其中，所述第一半导体层中的材料的颗粒之间的距离不同于所述第三应变器中的材料的颗粒之间的距离。

7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：

第二半导体层，布置在所述衬底上，并包括第二沟道区、第二源极区和第二漏极区；

第二栅极绝缘层，布置在所述第一栅极绝缘层和所述第一栅电极上；以及

第二栅电极，布置在所述第二栅极绝缘层上并且在所述平面图中与所述第二半导体层重叠，

其中，所述第一栅极绝缘层布置在所述第二半导体层上。

8.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：

第二半导体层，布置在所述衬底上，并包括第二沟道区、第二源极区和第二漏极区；

第四应变器，布置在所述衬底和所述第二半导体层之间，并且在所述平面图中与所述第二半导体层重叠，所述第四应变器与所述第三应变器间隔开；以及

第二栅电极，布置在所述第一栅极绝缘层上并且在所述平面图中与所述第二半导体层重叠；

其中，所述第二半导体层中的材料的颗粒之间的距离不同于所述第四应变器中的材料的颗粒之间的距离。

9.根据权利要求8所述的显示装置，还包括：第五应变器，布置在所述第二半导体层上且在所述平面图中与所述第二半导体层重叠，

其中，所述第五应变器与所述第三应变器和所述第四应变器间隔开，以及

其中，所述第四应变器和所述第五应变器具有不同类型的膜应力。

10.显示装置，包括：

第二半导体层，布置在衬底上并包括硅半导体材料；

第一栅极绝缘层，布置在所述第二半导体层上；

第二栅电极，布置在所述第一栅极绝缘层上并且在平面图中与所述第二半导体层重叠；

绝缘层，布置在所述第二栅电极上；

第三半导体层，布置在所述绝缘层上并包括第三沟道区、第三源极区和第三漏极区，所述第三半导体层包括氧化物半导体材料；

第六应变器，布置在所述绝缘层和所述第三半导体层之间并且在所述平面图中与所述第三半导体层重叠；

第二栅极绝缘层，布置在所述第三半导体层上；以及

第三栅电极，布置在所述第二栅极绝缘层上并且在所述平面图中与所述第三半导体层重叠，

其中，所述第三半导体层中的材料的颗粒之间的距离不同于所述第六应变器中的材料的颗粒之间的距离。