[发明专利]杯清洗装置及其工作方法在审

专利信息
申请号: 202110411068.9 申请日: 2021-04-16
公开(公告)号: CN113539891A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 白承大;许今东;金成烨;崔浩辰;孙在焕;金升范 申请(专利权)人: 杰宜斯科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;B08B3/02
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 李丹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 清洗 装置 及其 工作 方法
【说明书】:

本发明的多个实施例涉及杯清洗装置及其工作方法,杯清洗装置包括:位置调整装置;阀门;存储器;以及处理器,与所述位置调整装置、所述阀门以及所述存储器相连接,所述处理器使装载晶圆的操作台装置进行旋转,在通过所述位置调整装置调整回收化学物质的多个杯的位置的期间,控制所述阀门喷射用于对所述多个杯进行清洗的清洗物质,若从喷射所述清洗物质的时间点开始经过预设时间,则控制所述阀门不喷射所述清洗物质。其他实施例也能够实现。

技术领域

本发明的多个实施例涉及杯清洗装置及其工作方法。

背景技术

通常,形成于半导体基板上的多个图案可通过光刻(photolithography)工艺来形成。这种工艺可包括光刻胶涂敷工序、曝光工序、显影工序以及清洗工序等。

通常,清洗工序可通过枚叶式清洗装置(single cleaning)来进行。枚叶式清洗装置可包括:旋转夹头(spin chuck),用于固定晶圆;化学喷嘴(nozzle),用于向晶圆供给化学物质(chemical);杯(cup)(或处理杯(processing cup)),包围旋转夹头并与下部的废液通道及排气管相连接。

本发明的背景技术公开在韩国公开专利第2019-0007198号(2019年01月22日公开,名称:包括处理杯的杯清洗装置)。

发明内容

本发明的多个实施例公开了对回收在半导体制造工艺中的清洗工序中为了进行晶圆处理而喷射的化学物质的多个杯及废气中所存在的化学物质进行去除的方法及装置。

本发明多个实施例的杯清洗装置包括:位置调整装置;阀门;存储器;以及处理器,与所述位置调整装置、所述阀门以及所述存储器相连接,所述处理器使装载晶圆的操作台装置进行旋转,在通过所述位置调整装置调整回收化学物质的多个杯的位置的期间,控制所述阀门喷射用于对所述多个杯进行清洗的清洗物质,若从喷射所述清洗物质的时间点开始经过预设时间,则控制所述阀门不喷射所述清洗物质。

根据多个实施例,作为控制所述阀门喷射所述清洗物质的动作的至少一部分,所述处理器根据从所述存储器加载的杯清洗程序信息识别第一杯位置信息,基于所述第一杯位置信息控制所述位置调整装置来调整所述多个杯的位置,之后控制所述阀门喷射所述清洗物质。

根据多个实施例,所述杯清洗装置还可包括:前喷嘴(front nozzle),向所述晶圆的上端部喷射清洗物质;后喷嘴(back nozzle),向所述晶圆的下端部喷射清洗物质;第一清洗喷嘴,向包围使所述操作台装置旋转的轴(spindle)的外壳(housing)的至少一部分喷射清洗物质;以及多个第二清洗喷嘴(clean nozzle),向所述杯的下端部喷射清洗物质。

根据多个实施例,所述多个第二清洗喷嘴可包括:用于对所述位置调整装置的一部分进行清洗的至少一个清洗喷嘴;用于对所述多个杯的下端部进行清洗的至少一个清洗喷嘴;以及用于对排水口的至少一部分进行清洗的至少一个清洗喷嘴。

根据多个实施例,用于对所述位置调整装置的一部分进行清洗的至少一个清洗喷嘴以第一压力喷射清洗物质,用于对所述多个杯的下端部进行清洗的至少一个清洗喷嘴以低于所述第一压力的第二压力喷射清洗物质。

根据多个实施例,所述处理器根据杯清洗程序信息识别清洗程序的执行时间,若从喷射所述清洗物质的时间点开始经过所述执行时间,则控制所述阀门不喷射所述清洗物质。

根据多个实施例,所述处理器在控制所述阀门不喷射所述清洗物质之后,执行用于对所述清洗物质进行干燥的干燥程序。

根据多个实施例,所述位置调整装置包括液压缸、气缸、马达中的一种。

根据本发明的多个实施例,可通过对回收在进行半导体制造工艺中的清洗工序的期间为了进行晶圆处理而喷射的化学物质的多个杯的位置进行单独调整,有效去除在各个杯的内部所存在的化学物质。

附图说明

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