[发明专利]多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备中多个工艺腔室压力的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、根据多个所述工艺腔室的同一目标压力值，以及预设的各个所述工艺腔室的控压参数与压力值的对应关系，分别获得各个所述工艺腔室与所述目标压力值对应的控压参数；

S2、向各个所述工艺腔室的压力控制装置分别输出各个所述工艺腔室与所述目标压力值对应的所述控压参数。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，各个所述工艺腔室的所述对应关系均包括N个子对应关系，N为大于1的整数；所述N个子对应关系与由一标准压力检测装置的全量程划分而成的N个连续且无交集的压力范围一一对应；

所述步骤S1，包括：

S11、确定各个所述工艺腔室的与所述目标压力值所在的压力范围对应的子对应关系；

S12、根据所述目标压力值，以及各个所述工艺腔室的与所述目标压力值所在的压力范围对应的子对应关系，分别获得各个所述工艺腔室与所述目标压力值对应的控压参数。

3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，各个所述工艺腔室的所述对应关系，通过以下步骤获得：

S01、使各个所述工艺腔室均与同一传输腔室连通，对所述传输腔室进行抽气，待所述传输腔室的压力检测装置的压力示数稳定后，记录该压力示数，作为初始目标压力值；

S02、记录各个所述工艺腔室自身的压力检测装置此时的第一压力示数；

S03、向所述传输腔室中通入气体，直至所述传输腔室的压力检测装置的压力示数达到其全量程的上限值，将所述上限值作为最大目标压力值；

S04、记录各个所述工艺腔室自身的压力检测装置此时的第二压力示数；

S05、根据所述初始目标压力值、所述最大目标压力值以及各个所述工艺腔室的第一压力示数和第二压力示数，采用线性拟合算法计算获得各个所述工艺腔室的表示所述对应关系的拟合函数。

4.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，各个所述工艺腔室的所述对应关系，通过以下步骤获得：

S001、使各个所述工艺腔室均与同一传输腔室连通，对所述传输腔室进行抽气，待所述传输腔室的压力检测装置的压力示数稳定后，记录该压力示数，作为初始目标压力值；

S002、记录各个所述工艺腔室自身的压力检测装置此时的压力示数；

S003、向所述传输腔室中通入气体，使所述传输腔室的压力检测装置的压力示数依次到达N个预设目标压力值，其中，第N个预设目标压力值为所述传输腔室的压力检测装置全量程的上限值，所述初始目标压力值和所述N个预设目标压力值将所述全量程划分为N个连续且无交集的压力范围；

S004、所述传输腔室的压力检测装置的压力示数每到达一所述预设目标压力值，记录各个所述工艺腔室自身的压力检测装置此时的压力示数；

S005、根据所述初始目标压力值、所述N个预设目标压力值以及所述初始目标压力值、所述N个预设目标压力值对应的各个所述工艺腔室自身的压力检测装置的压力示数，采用线性拟合算法计算获得各个工艺腔室的每个所述压力范围的表示所述子对应关系的拟合函数。

5.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，对于各个所述工艺腔室中任一工艺腔室，该工艺腔室的所述对应关系，通过以下步骤获得：

S10、将一标准压力检测装置设置在该工艺腔室上，对该工艺腔室进行抽气，待所述标准压力检测装置的压力示数稳定后，记录该压力示数，将其作为初始目标压力值；

S20、记录该工艺腔室自身的压力检测装置此时的第一压力示数；

S30、向该所述工艺腔室通入气体，直至所述标准压力检测装置的压力示数达到其全量程的上限值，将所述上限值作为最大目标压力值；

S40、记录该工艺腔室自身的压力检测装置此时的第二压力示数；

S50、根据所述初始目标压力值、所述最大目标压力值、所述第一压力示数以及所述第二压力示数，采用线性拟合算法计算获得该工艺腔室的表示所述对应关系的拟合函数。