[发明专利]多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备

说明书

本发明提供一种多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备，其中，控制方法包括以下步骤：S1、根据多个工艺腔室的同一目标压力值，以及预设的各个工艺腔室的控压参数与压力值的对应关系，分别获得各个工艺腔室与目标压力值对应的控压参数；S2、向各个工艺腔室的压力控制装置分别输出各个工艺腔室与目标压力值对应的控压参数。本发明提供的多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备，能够提高多个工艺腔室在半导体工艺中的压力一致性。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备中多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备。

背景技术

半导体工艺在通过物理或化学等手段对晶片进行处理时，需要在能够提供一定真空环境的工艺腔室(PM)中进行，晶片在由大气环境进入工艺腔室的过程中，通常会先进入传输腔室(TC)再进入工艺腔室，该传输腔室可以与多个工艺腔室连接，且传输腔室与每个工艺腔室之间均设有用于使二者连通或隔离的通断阀。随着半导体工艺的发展，对半导体设备在半导体工艺中的一致性要求越来越严格，而由于工艺腔室的压力对半导体工艺结果具有重要的影响，因此，在半导体工艺中使多个工艺腔室的压力一致就变得十分重要。

但是，由于多个工艺腔室的抽气装置之间存在差异，多个工艺腔室的压力检测装置之间存在差异，以及多个工艺腔室的结构之间存在差异，导致多个工艺腔室在半导体工艺中的压力一致性较差。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备，其能够提高多个工艺腔室在半导体工艺中的压力一致性。

为实现本发明的目的而提供一种半导体工艺设备中多个工艺腔室压力的控制方法，包括以下步骤：

S1、根据多个所述工艺腔室的同一目标压力值，以及预设的各个所述工艺腔室的控压参数与压力值的对应关系，分别获得各个所述工艺腔室与所述目标压力值对应的控压参数；

S2、向各个所述工艺腔室的压力控制装置分别输出各个所述工艺腔室与所述目标压力值对应的所述控压参数。

优选的，各个所述工艺腔室的所述对应关系均包括N个子对应关系，N为大于1的整数；所述N个子对应关系与由一标准压力检测装置的全量程划分而成的N个连续且无交集的压力范围一一对应；

所述步骤S1，包括：

S11、确定各个所述工艺腔室的与所述目标压力值所在的压力范围对应的子对应关系；

S12、根据所述目标压力值，以及各个所述工艺腔室的与所述目标压力值所在的压力范围对应的子对应关系，分别获得各个所述工艺腔室与所述目标压力值对应的控压参数。

优选的，各个所述工艺腔室的所述对应关系，通过以下步骤获得：

S01、使各个所述工艺腔室均与同一传输腔室连通，对所述传输腔室进行抽气，待所述传输腔室的压力检测装置的压力示数稳定后，记录该压力示数，作为初始目标压力值；

S02、记录各个所述工艺腔室自身的压力检测装置此时的第一压力示数；

S03、向所述传输腔室中通入气体，直至所述传输腔室的压力检测装置的压力示数达到其全量程的上限值，将所述上限值作为最大目标压力值；

S04、记录各个所述工艺腔室自身的压力检测装置此时的第二压力示数；

S05、根据所述初始目标压力值、所述最大目标压力值以及各个所述工艺腔室的第一压力示数和第二压力示数，采用线性拟合算法计算获得各个所述工艺腔室的表示所述对应关系的拟合函数。

优选的，各个所述工艺腔室的所述对应关系，通过以下步骤获得：