[发明专利]一种单晶电池及其制备方法

权利要求书

1.一种单晶电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)对单晶基片进行腐蚀制绒，在制绒后的单晶基片上制备PN结，得到带有PN结的基片；

(2)在步骤(1)所述带有PN结的基片表面制备掩膜，去除部分PN结，得到处理后的基片；

(3)在步骤(2)所述处理后的基片正面制备氧化层，在步骤(2)所述处理后的单晶基片背面制备减反射膜，在所述氧化层上制备减反射膜，得到含减反射膜的基片；

(4)根据背面电极图形对步骤(3)所述含减反射膜的基片的背面减反射膜进行烧蚀，得到烧蚀产品；

(5)在步骤(4)所述烧蚀产品的正反面印刷接触电极，进行烧结，进行电注入，得到所述单晶电池。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述单晶基片包括单晶硅；

优选地，步骤(1)所述腐蚀制绒的方法包括用碱溶液腐蚀单晶基片制绒；

优选地，步骤(1)所述腐蚀制绒得到的绒面为金字塔型绒面；

优选地，步骤(1)所述制备PN结的方法包括通磷源制备PN结；

优选地，步骤(1)所述PN结在所述制绒后的单晶基片的正面上制备；

优选地，步骤(1)所述PN结的方阻为70-80Ω。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述制备掩膜的方法包括喷射制备掩膜；

优选地，步骤(2)所述掩膜包括石蜡掩膜；

优选地，步骤(2)所述掩膜的图形与步骤(4)的正面接触电极的栅线图形一致；

优选地，步骤(2)所述掩膜的区域与步骤(4)的正面接触电极的栅线的区域重合；

优选地，步骤(2)所述去除部分PN结的方法，包括使用第一酸去除所述带有PN结的基片的背面和四周PN结，用第二酸浸泡，用碱溶液浸泡，最后用第三酸去除表面氧化层；

优选地，所述第一酸和第二酸独立地包括氢氟酸和/或硝酸；

优选地，所述第三酸包括氢氟酸；

优选地，步骤(2)中，带有PN结的基片上被掩膜覆盖的区域在经过去除部分PN结操作后方阻为70-80Ω；

优选地，步骤(2)中，带有PN结的基片上未被掩膜覆盖的区域在经过去除部分PN结操作后的方阻为130-150Ω。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述氧化膜的厚度为1-2nm；

优选地，步骤(3)在背面制备的减反射膜包括SiON:H减反射薄膜；

优选地，步骤(3)在背面制备的减反射膜的厚度为40-60nm；

优选地，步骤(3)在背面制备的减反射膜的折射率为2.0-2.1。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)在步骤(2)所述处理后的单晶基片背面制备减反射膜的方法为等离子体气相沉积；

优选地，所述等离子体气相沉积的压力为1200-1400mtorr；

优选地，所述等离子体气相沉积的时间为285-430s；

优选地，所述等离子体气相沉积的射频功率为2000-4000W；

优选地，所述等离子体气相沉积的过程中通入硅烷、氨气和笑气；

优选地，所述硅烷流量为300-500sccm，氨气流量为1000-3000sccm，笑气流量为2000-3000sccm；

优选地，步骤(3)在所述氧化层上制备减反射膜的方法为等离子体气相沉积；

优选地，步骤(3)在所述氧化层上制备的减反射膜包括SiON:H减反射薄膜。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述烧蚀用激光设备进行；

优选地，步骤(4)所述烧蚀使单晶基片的背面露出。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)的背面接触电极的图形覆盖步骤(4)的烧蚀区域；

优选地，步骤(5)所述电注入的电流为8.5-9.5A；

优选地，步骤(5)所述电注入的温度为165-185℃；

优选地，步骤(5)所述电注入的时间为3200-4000s。