[发明专利]一种单晶电池及其制备方法在审
申请号: | 202110411718.X | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN113130708A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 任勇;李增彪 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种单晶电池及其制备方法。所述制备方法包括:1)对单晶基片进行腐蚀制绒,在制绒后的单晶基片上制备PN结,得到带有PN结的基片;2)在带有PN结的基片表面制备掩膜,去除部分PN结,得到处理后的基片;3)在处理后的基片正面制备氧化层,在处理后的单晶基片背面制备减反射膜,在所述氧化层上制备减反射膜,得到含减反射膜的基片;4)根据背面电极图形对含减反射膜的基片的背面减反射膜进行烧蚀,得到烧蚀产品;5)在烧蚀产品的正反面印刷接触电极,进行烧结,进行电注入,得到所述单晶电池。本发明的方法成本低廉,产品转换效率高,光致衰减低。
技术领域
本发明属于光伏技术领域,涉及一种单晶电池及其制备方法。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽,在现有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍、最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池,可以将太阳能直接转换成电能,其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。
现有商业化常规单晶电池的制备方法包括如下步骤:1.使用槽式碱溶液制作“金字塔”绒面;2.使用低压管式扩散炉在硅片正面制作PN结;3.使用链式酸刻蚀去除四周、背面PN结和去除正面氧化层;4.硅片正面镀氮化硅薄膜;5.硅片正反面印刷上电极;6.硅片进烧结炉使电极在高温下与硅片形成欧姆接触;7.完成成品电池并测试电池转换效率。这种常规单晶太阳能电池制造技术相对简单、成熟。常规单晶工艺有如下缺点:a.太阳能转换成电能效率低;b.电势诱导衰减效果差;c.光致衰减效果差。d.以及只能正面吸收太阳光转换成电能。常规单晶太阳能制造技术已经延续了十年没有太大改动,已经不能满足市场日益对高转换效率、高质量的要求。高转换效率、高质量是目前硅太阳电池追求的主要目标。
现有商业化PERC电池制备方法,其中镀氧化铝设备单台价格需要上千万人民币十分昂贵,而且需要大量生产人员操作、以及维护保养等,成本一直居高不下。而且使用光注入相比电注入在使用电量上要高的多,也会造成制造成本高昂。所以,现有PERC电池制备方法存在成本高昂。
CN108183139A公开了一种太阳能电池片,包括单晶硅片,设于单晶硅片正面的m条主栅线和n条副栅线,m≥6;相邻两条主栅线等间距分布,各条主栅线之间相互平行,每条主栅线两侧均与相等条数的副栅线垂直连接,每条副栅线与每条主栅线连接处均呈渐变式结构,相邻两条副栅线等间距分布,各条副栅线之间相互平行。但是该电池的制备成本较高,且光致衰减以及电势诱导衰减有待改进。
因此,开发一种高转换效率、高质量、低成本太阳能电池的制备方法,以得到稳定性良好的电池片产品,并且适用于目前晶体硅电池的产业化生产,显然具有积极的现实意义。
发明内容
针对现有技术中存在的上述不足,本发明的目的在于提供一种单晶电池及其制备方法。本发明提供的制备方法不进行镀氧化铝的操作,节省了镀氧化铝的设备,降低了成本;且不采用光注入,进一步节约了成本。本发明提供的制备方法得到的单晶电池为太阳能电池,其转换效率高,光致衰减低。
为达上述目的,本发明采用如下技术方案:
第一方面,本发明提供一种单晶电池的制备方法所述方法包括以下步骤:
(1)对单晶基片进行腐蚀制绒,在制绒后的单晶基片上制备PN结,得到带有PN结的基片;
(2)在步骤(1)所述带有PN结的基片表面制备掩膜,去除部分PN结,得到处理后的基片;
(3)在步骤(2)所述处理后的基片正面制备氧化层,在步骤(2)所述处理后的单晶基片背面制备减反射膜,在所述氧化层上制备减反射膜,得到含减反射膜的基片;
(4)根据背面电极图形对步骤(3)所述含减反射膜的基片的背面减反射膜进行烧蚀,得到烧蚀产品;
(5)在步骤(4)所述烧蚀产品的正反面印刷接触电极,进行烧结,进行电注入,得到所述单晶电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的